[發(fā)明專利]電阻式存儲器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310424207.7 | 申請日： | 2013-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN104465986B | 公開（公告）日： | 2017-12-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈鼎瀛;林孟弘;吳伯倫;李彥德;江明崇 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種電阻式存儲器的制作方法，其特征在于，包括：
于基底上依序形成第一電極、可變電阻層與掩膜層；
于所述基底上形成介電層，所述介電層覆蓋所述第一電極、所述可變電阻層與所述掩膜層；
進(jìn)行蝕刻工藝，于所述介電層與所述掩膜層中形成開口，所述開口暴露出部分所述可變電阻層；
于所述開口中形成第二電極；以及
于所述第二電極上形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層配置于所述開口中，
其中所述掩膜層包括由氧化物層與氮化物層組成的復(fù)合層或由氧化物層與氮氧化物層組成的復(fù)合層，且所述開口的形成方法包括：
進(jìn)行干式蝕刻工藝，移除部分所述介電層與所述掩膜層中的部分所述氮化物層或所述氮氧化物層；以及
進(jìn)行濕式蝕刻工藝，移除所述掩膜層中的部分所述氧化物層。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器的制作方法，其中在形成所述掩膜層之后以及在形成所述介電層之前，更包括于所述基底上形成覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述第一電極、所述可變電阻層與所述掩膜層。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器的制作方法，其中所述第一電極、所述可變電阻層與所述掩膜層的形成方法包括：
于所述基底上依序形成電極材料層、可變電阻材料層與掩膜材料層；以及
對所述電極材料層、所述可變電阻材料層與所述掩膜材料層進(jìn)行圖案化工藝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華邦電子股份有限公司，未經(jīng)華邦電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310424207.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
