[發明專利]一種茵芋的快速繁殖方法

無效

• 申請號: 201310423824.5
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN103444548A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 楊存
• 申請（專利權）人: 南京通澤農業科技有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及茵芋組織培養的快繁方法，屬于植物技術領域。

背景技術

茵芋，又名卑山共、莞草、卑共、茵蕷、因預。喜生于樹陰下、海拔較高的樹林下。主要分布在華東、西南及臺灣、湖北、湖南、廣東、廣西等地。莖皮、葉、根均可入藥，是一種藥用植物，莖皮和根含呋喃喹啉生物堿7-異戊烯氧基-γ-崖椒堿，茵芋堿，單葉蕓香品堿等，葉中含茵芋甙和茵芋堿。主治風濕痹痛，四肢攣急，兩足軟弱等癥。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種茵芋的組培微繁殖方法，由該方法所制備得到的茵芋組培幼苗生長周期短，成活率高，可控性好，可以規模化的進行生產。

本發明所要解決的技術問題是通過以下方案來實現的：

選用茵芋生長健壯的帶芽的莖段，用漂白粉浸泡三分鐘，自來水沖洗1.5h，在超凈工作臺上用?75％酒精處理30s，0.2％的升汞消毒?10分鐘，無菌水沖洗?4-5?次，接種在?DKW+NAA0.2mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽誘導培養基上，將誘導出來的腋芽接入增殖培養基DKW+2，4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上進行增殖培養，培養條件為光照1000lx，光期10h，暗期14h，溫度25℃，濕度60%～70%，增殖培養25天，轉入生根培養基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05?mg/L中誘導生根，培養條件為光照2000lx，光期12h，暗期12h，溫度27℃，濕度60%～70%，試管苗生根后長約5cm進行煉苗移栽，將茵芋幼苗從培養瓶中取出，洗去根部的瓊脂，用10-50mg/L的IAA浸蘸根系，迅速移栽入裝有消毒基質的盆中，防止在光照培養箱中，光照強度2000lx，溫度27℃，光期12h，暗期12h，濕度60%-70%，兩周后從光照培養基中取出的小苗，定植于鋪好的苗床上，蓋上薄膜和陰網，一周后去掉薄膜，兩周后去掉陰網，組培苗移栽?25天以上就可以移栽大田或推廣應用。

采用本發明培養出來的試管苗長勢好，生長速度快，成活率達94%，周期短，操作可控，可進行工業擴大化生產。

下面將結合具體實施方式對本發明作進一步闡述，但本發明要求保護的范圍并不局限于下列實施方式。

具體實施方式

實施例1

選用茵芋生長健壯的帶芽的莖段，用漂白粉浸泡三分鐘，自來水沖洗1.5h，在超凈工作臺上用75％酒精處理30s，0.2％的升汞消毒?10分鐘，無菌水沖洗4-5?次。接種在?DKW+NAA0.1mg/L+6-BA0.2mg/L腋芽誘導培養基上，將誘導出來的腋芽接入增殖培養基DKW+2,4-D0.2mg/L+KT0.2mg/L+PVP上進行增殖培養，培養條件為光照1000lx，光期10h，暗期14h，溫度25℃，濕度60%～70%，增殖培養25天，轉入生根培養基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05?mg/L中誘導生根，培養條件為光照2000lx，光期12h，暗期12h，溫度27℃，濕度60%～70%，試管苗生根后長約5cm進行煉苗移栽，成活率達94%，成活率達85%。?

實施例2

選用茵芋生長健壯的帶芽的莖段，用漂白粉浸泡三分鐘，自來水沖洗1.5h，在超凈工作臺上用?75％酒精處理30s，0.2％的升汞消毒?10分鐘，無菌水沖洗?4-5?次。接種在?DKW+NAA0.2mg/L+6-BA1mg/L腋芽誘導培養基上，將誘導出來的腋芽接入增殖培養基DKW+2，4-D0.5mg/L+KT0.4mg/L+PVP上進行增殖培養，培養條件為光照1000lx，光期10h，暗期14h，溫度25℃，濕度60%～70%，增殖培養25天，轉入生根培養基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05?mg/L中誘導生根，培養條件為光照2000lx，光期12h，暗期12h，溫度27℃，濕度60%～70%，試管苗生根后長約5cm進行煉苗移栽，成活率達90%。?

實施例3