[發明專利]太陽電池器件的背電極及其制備方法以及太陽電池器件

有效

• 申請號: 201310423223.4
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103474484A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 宋秋明;李朝暉;譚興;顧光一;陳旺壽;肖旭東
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院;香港中文大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種太陽電池器件的背電極，其特征在于，包括金屬導電層和層疊于所述金屬導電層上的氧化鋁鈍化層，所述氧化鋁鈍化層上具有多個納米尺寸的孔洞。

2.根據權利要求1所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，多個所述納米尺寸的孔洞呈周期陣列排布。

3.根據權利要求1所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，每個所述納米尺寸的孔洞的形狀為圓柱形，該圓柱形的孔徑為d，相鄰兩個所述納米尺寸的孔洞的橫截面的幾何中心的距離為L，太陽電池器件的光吸收層的厚度為t，載流子在所述光吸收層的擴散長度為k，所述L、t和k滿足：

(22L-d2)≤k2-t2.]]>

4.根據權利要求3所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，0.1μm≤d≤2μm。

5.根據權利要求3所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，0.5μm≤L≤10μm。

6.根據權利要求1所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，所述金屬導電層的厚度為0.1微米～2微米。

7.根據權利要求1所述的太陽電池器件的背電極，其特征在于，所述氧化鋁鈍化層的厚度為5納米～100納米。

8.一種太陽電池器件的背電極的制備方法，包括如下步驟：

采用磁控濺射制備金屬導電層；

在所述金屬導電層的一個表面上涂覆光刻膠，曝光顯影后在所述金屬導電層的表面上形成光刻膠膜島；

采用原子層沉積工藝在形成有所述光刻膠膜島的金屬導電層的表面上沉積氧化鋁鈍化層；及

除去所述光刻膠膜島，在所述氧化鋁鈍化層上形成多個納米尺寸的孔洞，得到太陽電池器件的背電極。

9.一種太陽電池器件，包括依次層疊的襯底、背電極、光吸收層、緩沖層、窗口層和透明電極層，其特征在于，所述背電極包括層疊于所述襯底上的金屬導電層和層疊于所述金屬導電層上的氧化鋁鈍化層，所述氧化鋁鈍化層上具有多個納米尺寸的孔洞。

10.根據權利要求9所述的太陽電池器件，其特征在于，所述光吸收層為銅銦鎵硒薄膜光吸收層、銅鋅錫硫薄膜光吸收層、銅鋅錫硒薄膜光吸收層或碲化鎘薄膜光吸收層。