[發明專利]電平移位電路

在審

• 申請號: 201310422949.6
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104467800A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 王小平;白青剛
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種電平移位電路，其特征在于，包括：

電源裝置，所述電源裝置包括多個電源模塊，所述多個電源模塊相互串聯；

獨立子模塊裝置，所述獨立子模塊裝置包括多個子模塊和多個開關管，所述多個子模塊相互串聯且每個所述子模塊與一個電源模塊對應并聯，每個所述子模塊用于輸出與對應并聯的電源模塊兩端電位相等的電平信號，每個所述子模塊的輸出端分別與對應的開關管相連，所述多個開關管根據每個所述子模塊輸出的電平信號輸出相應電平信號；

偏置電流提供模塊，所述偏置電流提供模塊具有第一偏置電流輸出端和第二偏置電流輸出端，通過所述第一偏置電流輸出端和第二偏置電流輸出端分別輸出第一偏置電流和第二偏置電流；

電平移位模塊，所述電平移位模塊與所述多個開關管和所述偏置電流提供模塊分別相連，所述電平移位模塊根據所述第一偏置電流和第二偏置電流對所述多個開關管輸出的電平信號進行移位以生成電平移位信號；

參考電平提供模塊，所述參考電平提供模塊與所述電平移位模塊相連，所述參考電平提供模塊用于向所述電平移位模塊提供參考電平。

2.如權利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述參考電平提供模塊為電壓轉換模塊，所述電壓轉換模塊與所述電源裝置相連，所述電壓轉換模塊用于對所述電源裝置輸出的電壓進行轉換以生成參考電平。

3.如權利要求2所述的電平移位電路，其特征在于，所述電壓轉換模塊和所述偏置電流提供模塊集成設置。

4.如權利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，每個所述子模塊對所述對應并聯的電源模塊兩端電位進行處理以使每個所述子模塊輸出的高電平與對應并聯的電源模塊的高電平相同和每個所述子模塊輸出的低電平與對應并聯的電源模塊的低電平相同。

5.如權利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述多個開關管為多個PMOS管。

6.如權利要求5所述的電平移位電路，其特征在于，所述多個電源模塊為三個時，所述子模塊和所述PMOS管分別為三個，相互串聯的三個電源模塊之間具有第一節點和第二節點，第一PMOS管的源極與第一電源模塊的正極端相連，第二PMOS管的源極與所述第一節點相連，第三PMOS管的源極與第二節點相連。

7.如權利要求6所述的電平移位電路，其特征在于，所述電平移位模塊具體包括：

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏極和柵極分別與所述第一偏置電流輸出端相連，所述第一NMOS管的源極與參考地相連；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連，所述第二NMOS管的漏極與所述第三PMOS管的漏極相連，所述第二NMOS管的源極接地；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與所述第二NMOS管的漏極相連，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的漏極作為所述電平移位模塊的第一輸出端；

第四PMOS管，所述第四PMOS管的柵極與所述第二偏置電流輸出端相連，所述第四PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的漏極相連，所述第四PMOS管的源極與所述參考電平提供模塊相連；

第四NMOS管，所述第四NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連，所述第四NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極相連，所述第四NMOS管的源極接地；

第五NMOS管，所述第五NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的漏極相連，所述第五NMOS管的源極接地，所述第五NMOS管的漏極作為所述電平移位模塊的第二輸出端；

第五PMOS管，所述第五PMOS管的柵極與所述第二偏置電流輸出端相連，所述第五PMOS管的漏極與所述第五NMOS管的漏極相連，所述第五PMOS管的源極與所述參考電平提供模塊相連；

第六NMOS管，所述第六NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連，所述第六NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極相連，所述第六NMOS管的源極接地；

第七NMOS管，所述第七NMOS管的柵極與所述第六NMOS管的漏極相連，所述第七NMOS管的源極接地，所述第七NMOS管的漏極作為所述電平移位模塊的第三輸出端；

第六PMOS管，所述第六PMOS管的柵極與所述第二偏置電流輸出端相連，所述第六PMOS管的漏極與所述第七NMOS管的漏極相連，所述第六PMOS管的源極與所述參考電平提供模塊相連。