[發明專利]一種發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310422938.8
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104465919B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 朱廣敏;郝茂盛
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：

生長襯底；

發光外延結構，至少包括N型層、量子阱層及P型層，所述發光外延結構具有去除了部分的P型層、量子阱層及N型層所形成的N電極焊盤制備區域及N電極引線制備區域；

電流擴展層，形成于所述P型層之上，其對應于P電極引線處具有間隔排列的多個開孔；

N電極，包括形成于所述N電極焊盤制備區域的N電極焊盤以及形成于所述N電極引線制備區域的N電極引線；

P電極，包括形成于所述電流擴展層表面的P電極焊盤、及形成于所述電流擴展層表面且填充于所述開孔的P電極引線；

透明絕緣結構，包括：結合于所述N電極焊盤及N電極焊盤制備區域之間的部分界面的第一絕緣層；呈多個絕緣層段結合于所述N電極引線及N電極引線制備區域之間的第二絕緣層；以及結合于所述P型層及電流擴展層之間、位于所述P電極下方、且形狀與所述P電極對應的第三絕緣層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光二極管的平面形狀為平行四邊形，所述N電極焊盤與所述P電極焊盤分別位于該平行四邊形的兩個對角區域，所述N電極引線與所述P電極引線平行排列于該平行四邊形的兩個對邊區域。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述多個開孔與所述多個絕緣層段相互平行且呈錯位排列，且所述開孔與所述絕緣層段的平面形狀和尺寸相同。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述N電極焊盤包覆或部分包覆于所述第一絕緣層，且所述第一絕緣層的面積小于或等于所述N電極焊盤面積的1/2。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透明絕緣結構的材料為二氧化硅，厚度為60～920nm。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第三絕緣層的平面尺寸大于所述P電極的平面尺寸。

7.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，包括步驟：

1)提供一生長襯底，于所述生長襯底表面形成至少包括N型層、量子阱層及P型層的發光外延結構；

2)去除了部分的P型層、量子阱層及N型層形成N電極焊盤制備區域及N電極引線制備區域；

3)于所述P型層表面、N電極焊盤制備區域表面及N電極引線區域表面沉積透明絕緣層，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝形成透明絕緣結構，包括結合于所述N電極焊盤制備區域表面的第一絕緣層、呈多個絕緣層段結合于所述N電極引線制備區域表面的第二絕緣層、以及結合于電流擴展層，且與P電極焊盤及P電極引線形狀對應的第三絕緣層；

4)于所述P型層及第三絕緣層表面形成電流擴展層，并于與P電極引線對應的電流擴展層中刻蝕出間隔排列的多個開孔；

5)于所述N電極焊盤制備區域制作包覆或部分包覆于所述第一絕緣層的N電極焊盤，于所述N電極引線制備區域及第二絕緣層表面制作N電極引線，于所述電流擴展層表面且與所述第三絕緣層對應處制作P電極焊盤及P電極引線。

8.根據權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述發光二極管的平面形狀為平行四邊形，所述N電極焊盤與所述P電極焊盤分別位于該平行四邊形的兩個對角區域，所述N電極引線與所述P電極引線平行排列于該平行四邊形的兩個對邊區域。

9.根據權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述多個開孔與所述多個絕緣層段相互平行且呈錯位排列，且所述開孔與所述絕緣層段的平面形狀和尺寸相同。

10.根據權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述透明絕緣層，所述透明絕緣層的材料為二氧化硅，厚度為60～920nm。