[發明專利]高純度高密度WO3/S核殼結構納米顆粒的制備方法有效
| 申請號： | 201310422712.8 | 申請日： | 2013-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN103469155A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | 錢靜雯;彭志堅;符秀麗;王成彪;付志強;岳文 | 申請（專利權）人： | 中國地質大學（北京） |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C30B23/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 純度 高密度 wo sub 結構 納米 顆粒 制備 方法 | ||
1.高純度高密度WO3／S核殼結構納米顆粒的制備方法，其特征在于：所述核殼結構納米顆粒內核為單晶WO3，外殼為非晶單質S；所述方法通過熱蒸發WO3粉和S粉在基片上沉積WO3／S核殼結構納米顆粒，包括以下步驟：
(1)在真空管式爐中，將分別裝有WO3粉和S粉的氧化鋁陶瓷坩堝、或者裝有WO3和S混合粉的氧化鋁陶瓷坩堝放置在爐中央的加熱區域，在其氣流下游距離裝有WO3粉的坩堝20-30mm處溫度較低的區域放置基片；
(2)在加熱前，先對整個系統抽真空，然后向系統中通入高純惰性載氣，并重復多次，以排除系統中的空氣。然后以15-30℃／min速率升溫到最高加熱溫度，并保溫數小時。在加熱過程中，保持載氣流量為100-300標準立方厘米每分鐘，且整個加熱過程在惰性載氣保護下完成，最后自然降溫到室溫，即可在基片上得到高純度、高密度WO3／S核殼結構納米顆粒。
2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中WO3粉和S粉的加熱蒸發方法為分別蒸發或混合蒸發，其中分別蒸發時WO3粉放在爐中高溫加熱區而S粉放在爐中低溫加熱區，且二者相距10-15mm；而混合蒸發時，則需將WO3粉和S粉的質量比控制在10：1到100：1之間；所述步驟(1)中的基片為硅片、砷化鎵片、藍寶石片、碳化硅單晶片，且表面平整，光潔度好；所述步驟(2)中最高加熱溫度為900-1100℃，保溫時間2-4小時。
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