[發(fā)明專利]具有與凹槽相對準(zhǔn)的焊料區(qū)的封裝件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310422055.7
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104253053A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊慶榮;陳憲偉;杜賢明;黃章斌;賴昱嘉;邵棟梁
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層；

在所述鈍化層上方形成聚合物層；

使用光刻掩模來曝光所述聚合物層，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以及局部透明部分；

對所述聚合物層進行顯影以形成開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露；以及

在所述聚合物層上方形成后鈍化互連件（PPI），其中所述PPI包括延伸至所述開口內(nèi)的部分以與所述金屬焊盤連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部透明部分具有大約20%至大約80%之間的光通過率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在曝光步驟期間，所述透明部分與所述聚合物層的第一部分相對準(zhǔn)，其中所述第一部分在顯影步驟中被去除以形成所述開口，以及所述局部透明部分與所述聚合物層的第二部分相對準(zhǔn)，所述第二部分的頂層在所述顯影步驟中被去除以形成凹槽，而所述第二部分的底層在所述顯影步驟之后被保留。

4.一種方法，包括：

在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層；

在所述鈍化層上方形成聚合物層；

圖案化所述聚合物層以形成：

穿透所述聚合物層的開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露；和

凹槽，延伸至所述聚合物層內(nèi)但是并不穿透所述聚合物層；

在所述聚合物層上方形成后鈍化互連件（PPI），其中，所述PPI包括：

PPI通孔，延伸至所述開口內(nèi)以與所述金屬焊盤連接；和

PPI焊盤，包括位于所述凹槽中的一部分；

將金屬凸塊放置在所述PPI焊盤上方；以及

對所述金屬凸塊進行回流，其中，所述金屬凸塊與所述凹槽相對準(zhǔn)，并且電連接至所述PPI焊盤。

5.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

位于所述襯底上方的金屬焊盤；

位于所述金屬焊盤的一部分上方的鈍化層；

位于所述鈍化層上方的聚合物層；

后鈍化互連件（PPI），包括：

PPI通孔，穿透所述聚合物層以與所述金屬焊盤連接；以及

PPI焊盤，電連接至所述PPI通孔，其中所述PPI焊盤包括延伸至所述聚合物層的凹槽內(nèi)的第一部分，所述凹槽從所述聚合物的頂面延伸至所述聚合物層的中間位置；以及

焊料區(qū)，覆蓋在所述PPI焊盤上方并且電連接至所述PPI焊盤，其中所述焊料區(qū)直接位于所述PPI焊盤上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述PPI焊盤的頂面形成與所述聚合物層的凹槽相對準(zhǔn)的額外凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述焊料區(qū)填充所述額外凹槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括位于所述金屬焊盤上方并且填充所述額外凹槽的金屬飾層，其中所述焊料區(qū)與所述金屬飾層接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物層具有一厚度，并且所述深度與所述厚度的比率在大約0.2至大約0.5之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所示的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述PPI焊盤還包括位于所述聚合物層的平坦表面上方的第二部分。