[發明專利]陣列基板、制備方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310422039.8
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103474434A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 張鋒;姚琪;劉志勇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置。

背景技術

平板顯示裝置具有體積小、功耗低、無輻射等特點，目前已逐步取代笨重的CRT(Cathode?Ray?Tube,陰極射線管)顯示裝置占據顯示器市場的主導地位。常用的平板顯示裝置包括LCD（Liquid?Crystal?Display：液晶顯示裝置）、PDP（Plasma?Display?Panel：等離子顯示裝置）和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode:有機發光二極管）顯示裝置。

在成像過程中，LCD和有源矩陣驅動式OLED（Active?Matrix?Organic?Light?Emission?Display，簡稱AMOLED）顯示裝置中的每一像素點都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor：簡稱TFT）來驅動，從而實現圖像顯示。薄膜晶體管作為發光控制開關，是實現LCD和OLED顯示裝置顯示的關鍵，直接關系到高性能顯示裝置的發展方向。

其中，LCD包括TN（Twisted?Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical?Alignment，垂直取向）模式、ADSDS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS，高級超維場轉換）模式等。尤其是在ADSDS模式中，陣列基板同時包括像素電極和公共電極，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，在增大視角的同時提高了液晶分子工作效率并增大了透光效率。

其中，薄膜晶體管主要包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極。圖1是現有技術中一種ADSDS模式陣列基板的剖視圖，在該陣列基板的制備過程中，自下而上分別通過5次構圖工藝（或者說掩模工藝）制備完成，依次包括：公共電極掩模、柵極掩模、有源層和源極/漏極掩模、鈍化層過孔掩模、像素電極掩模。在該陣列基板中，公共電極和柵極分別采用透明導電材料和金屬材料，通過兩次構圖工藝形成。

圖2是現有技術中另一種ADSDS模式陣列基板的剖視圖，在該陣列基板的制備過程中，自下而上分別通過6次構圖工藝（或者說掩模工藝）制備完成，依次包括：柵極掩模、有源層掩模、源極/漏極掩模、像素電極掩模、鈍化層過孔掩模、公共電極掩模。在該陣列基板中，源極/漏極和像素電極分別采用金屬材料和透明導電材料，通過兩次構圖工藝形成。

在上述兩種結構的陣列基板中，公共電極和柵極、源極/漏極和像素電極均通過兩次掩模工藝完成，工藝相對復雜，成本較高。同樣的，在TN模式、VA模式和OLED顯示裝置的陣列基板的制備過程中也存在同樣的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置，該陣列基板和相應的陣列基板的制備方法，有效地簡化了陣列基板的制備工藝，降低了掩模板和材料的成本，節約了成本，提高了產能，提高了顯示裝置產品的競爭力。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是該陣列基板，包括基板以及設置于所述基板上的薄膜晶體管和驅動電極，所述薄膜晶體管包括柵極以及設置在同一層的源極/漏極，其中，所述柵極或所述源極/所述漏極與所述驅動電極采用相同的材料形成，且所述驅動電極的厚度小于所述柵極或所述源極/所述漏極的厚度。

一種優選方案是，所述驅動電極包括第一電極與第二電極，所述第一電極與所述第二電極在正投影方向上至少部分重疊，所述第二電極設置于所述第一電極的下方，處于相對上層的所述柵極或所述源極/所述漏極、與所述第一電極采用相同的材料形成，且所述第一電極的厚度小于處于相對上層的所述柵極或所述源極/所述漏極的厚度；和/或，處于相對下層的所述柵極或所述源極/所述漏極、與所述第二電極采用相同的材料形成，且所述第二電極的厚度小于處于相對下層的所述柵極或所述源極/所述漏極的厚度。

優選的是，處于相對上層的所述柵極或所述源極/所述漏極與所述第一電極，和/或，處于相對下層的所述柵極或所述源極/所述漏極與所述第二電極，為單層或多層復合膜層，采用鋁、銅、鉬、鋁釹合金、鉻、鈦或銀形成；

或者，處于相對上層的所述柵極或所述源極/所述漏極與所述第一電極，和/或處于相對下層的所述柵極或所述源極/所述漏極與所述第二電極，為具有一維金屬/介質光子晶體結構的多層復合膜層，所述金屬包括銀，所述介質包括硫化鋅、氧化銦錫。