[發明專利]一種橫向高壓超結功率半導體器件

有效

• 申請號: 201310421765.8
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103489915A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 喬明;章文通;黃軍軍;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種橫向高壓超結功率半導體器件，其元胞結構包括P型襯底(1)、N型條區(3)、P型條區(4)、P型體區(5)、N型重摻雜源區(6)、P型重摻雜區體區(7)、柵氧化層(8)、N⁺漏極區域(9)、漏極接觸電極(10)、多晶硅柵(11)、源極接觸電極(12)和襯底接觸電極(13)；所述N型條區(3)和P型條區(4)沿P型襯底(1)上表面縱向交錯排列構成超結結構，所述P型體區(5)設置在P型襯底(1)上表面的一端并與超結結構連接，所述N⁺漏極區域(9)設置在超結結構上遠離P型體區(5)的一端，所述漏極接觸電極(10)設置在N⁺漏極區域(9)的上表面；所述N型重摻雜源區(6)和P型重摻雜區體區(7)設置在P型體區(5)中并相互獨立；所述源極接觸電極(12)設置在P型重摻雜區體區(7)的上表面，所述柵氧化層(8)設置在P型體區(5)的上表面和部分N型重摻雜源區(6)的上表面；所述多晶硅柵(11)設置在柵氧化層(8)的上表面；所述襯底接觸電極(13)設置在P型襯底(1)的下表面；其特征在于，還包括N型電荷補償層(2)，所述N型電荷補償層(2)設置在P型襯底(1)、N型條區(3)和P型體區(5)之間，N型電荷補償層(2)的下表面與P型襯底(1)的上表面連接、上表面與N型條區(3)和P型體區(5)的下表面連接，將終端區域n型緩沖層10與p型集電區11完全隔離。

2.根據權利要求1所述的一種橫向高壓超結功率半導體器件，其特征在于，所述N型電荷補償層(2)為通過均勻摻雜、線性摻雜和離散摻雜中的一種摻雜方式形成。