[發明專利]一種能消除負阻效應的RC-IGBT

無效

• 申請號: 201310421639.2
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103489908A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 李澤宏;陳偉中;劉永;廖鵬飛;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種能消除負阻效應的RC-IGBT，其結構包括器件有源區、器件過渡區和器件終端區；

所述器件有源區包括P型集電區（10）、N-漂移區（6）、位于P型集電區（10）和N-漂移區（6）之間的N型緩沖層（8），所述N-漂移區（6）表面具有多個均勻分布的P型體區（5），所述P型體區（5）中具有與發射極金屬相連的N+源區（1）；所述器件有源區還包括器件柵極結構，所述柵極結構由柵氧化層（3）和多晶硅柵電極（2）構成，其中柵氧化層（3）位于多晶硅柵電極（2）與P型體區（5）和N-漂移區（6）之間；

所述器件過渡區包括N型集電區（9）、N-漂移區（6）、位于N型集電區（9）和N-漂移區（6）之間的N型緩沖層（8），過渡區的N-漂移區（6）表面具有與發射極金屬相連的P型過渡區；

所述器件終端區包括P型集電區（10）、N-漂移區（6）、位于P型集電區（10）和N-漂移區（6）之間的N型緩沖層（8）；

所述器件過渡區在器件橫向方向上位于器件有源區和器件終端區之間。

2.根據權利要求1所述的能消除負阻效應的RC-IGBT，其特征在于，所述器件過渡區環繞器件有源區。

3.根據權利要求1或2所述的能消除負阻效應的RC-IGBT，其特征在于，所述器件柵極結構為平面柵結構，其中柵氧化層（3）位于部分P型體區（5）和N-漂移區（6）表面，多晶硅柵電極（2）位于柵氧化層（3）表面。

4.根據權利要求1或2所述的能消除負阻效應的RC-IGBT，其特征在于，所述器件柵極結構為溝槽柵結構，其中多晶硅柵電極（2）向下穿過P型體區（5）并延伸入N-漂移區（6）。

5.根據權利要求1或2所述的能消除負阻效應的RC-IGBT，其特征在于，所述N-漂移區（6）內部具有均勻分布且平行于器件縱向方向的P型柱區（7），形成超結漂移區結構。