[發明專利]串行線性熱處理器排列

有效

• 申請號: 201310421281.3
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103681363A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 張健
• 申請（專利權）人: PSK有限公司;塞米吉爾公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種用于制造芯片的電子半導體組件系統的串行線性熱處理器排列，用于經由一系列獨立且線性相鄰的腔室，連續地處理線性芯片處理器內的分離并預先焊接的半導體組件的處理前的芯片/基板組合件，其中，

該處理前的芯片/基板組合件被負載至位于該處理器的起始的載入/載出站的腔室內的附加電路板，該處理前的芯片/基板組合件承載大氣壓力，且該腔室被充以氮氣；

該處理前的芯片/基板組合件經由該被移動至上加熱板與垂直且可位移的下加熱板之間的位置的設備附加電路板被推送進入第一處理腔室/站，且該經預處理的芯片/基板組合件被加熱至低于焊料熔融溫度，該第一腔室/站被維持低于大氣壓力，甲酸蒸氣管被引入，且該腔室/站的底部處理腔室被降低；

該處理前的芯片/基板組合件被推送進入位于該上下加熱板之間的等待的開啟的第二腔室/站，該第二腔室/站藉由其底部加熱器的垂直移動被關閉，其中，該處理前的芯片/基板組合件至高于焊料熔融溫度，該第二腔室/站被保持真空且甲酸蒸氣管被引入該第二腔室/站；

該處理前的芯片/基板組合件處理腔室藉由其底部加熱器的垂直下降被開啟，以使得附加電路板由該第二站被推送至等待的現已被開啟且位于其上下加熱板之間的第三腔室/站，該第三腔室/站被關閉且該經預處理的芯片/基板組合件被加熱至高于焊料熔融溫度，該第三腔室/站被保持真空且甲酸蒸氣管被引入該第三腔室/站；

該處理前的芯片/基板組合件由該第三腔室/站的開口上藉由其底部加熱板的降低被傳送至等待的開啟的第四腔室/站的底部或下加熱板，且該經預處理的芯片/基板組合件置于該第四腔室/站的上加熱板與該下加熱板之間，該第四腔室/站的底部處理部被升高以升高該下加熱板藉以關閉該第四腔室/站，且該芯片/基板組合件被加熱至高溫，以進一步處理分離的芯片和基板間的焊料，使得芯片的焊料與該基板電性連接，且甲酸蒸氣管被引入該第四腔室/站；

該被加熱且被連接的芯片/基板組合件被傳送至第五腔室/站的降低的底部處理腔室區，該底部處理腔室部升高以關閉該腔室，該組合件被加熱至峰值的焊料熔融溫度，以于真空條件下熔融并鏈接該芯片/基板組合件，其中，該腔室被充以氮氣；

該被鏈接的芯片/基板組合件由該第五腔室/站的開口上被傳送至第六腔室/站且被冷卻至周圍溫度或室溫；以及

該芯片/基板組合件被傳送至最終下游的載入/載出站，該被鏈接的芯片/基板組合件從該加載/載出站的腔室被承載；

其中，于約10秒至約300秒的期間，該第一、第二、第三與第四腔室/站于約760托耳的壓力下被個別加熱至默認溫度，該默認溫度范圍由約150℃至約270℃。

2.如權利要求1所述的串行線性熱處理器排列，其中該第一、第二、第三與第四腔室/站的默認溫度被維持于使用于該組合件的特定焊料的熔融溫度以下。

3.如權利要求1所述的串行線性熱處理器排列，其中該第一、第二、第三、第四與第五腔室/站的默認溫度被維持于使用于該組合件的特定焊料的熔融溫度以上。

4.如權利要求1所述的串行線性熱處理器排列，其中該第一與第二腔室/站的默認溫度被維持于使用于該組合件的特定焊料的熔融溫度以下，而第三、第四與第五腔室/站的默認溫度被維持于使用于該組合件的特定焊料的熔融溫度以上。

5.如權利要求1所述的串行線性熱處理器排列，其中該第五腔室/站的默認溫度所有腔室/站的峰值溫度，且為使用于該組合件的特定焊料的熔融溫度以上。