[發明專利]一種絕緣柵雙極型半導體器件

無效

• 申請號: 201310420393.7
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103489906A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 李澤宏;鄒有彪;宋文龍;李果;劉建;吳明進
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種絕緣柵雙極型半導體器件，包括依次層疊設置的集電極金屬（12）、P型半導體材料（1）、N型半導體材料（2）、N型漂移區（3）、第一P型半導體體區（4）和發射極金屬（11），所述第一P型半導體體區（4）中包括2個相互獨立的發射區（5）；其特征在于，還包括第二P型半導體區（8）、N型半導體區（9）、氧化層（6）和多晶硅（7）；所述氧化層（6）覆蓋在多晶硅（7）的外表面分別形成2個槽柵結構，所述2個槽柵結構設置在絕緣柵雙極型半導體器件的兩端，所述槽柵結構分別與發射區（5）的側面和第一P型半導體體區（4）的側面連接并嵌入N型漂移區（3）的上表面；所述第二P型半導體區（8）設置在第一P型半導體體區（4）中，所述N型半導體區（9）設置在第二P型半導體區（8）中，在N型半導體區（9）的上表面設置有電極（10），發射區（5）的上表面設置有發射極電極（11），發射極電極（11）沿第一P型半導體體區（4）的上表面延伸到第二P型半導體區（8）的上表面。

2.根據權利要求1所述的一種絕緣柵雙極型半導體器件，其特征在于，所述電極（10）與多晶硅（7）短接。