[發明專利]快恢復二極管制備方法

在審

• 申請號: 201310419510.8
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN103531465A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 王全;董潔瓊;孫德明;周偉
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種快恢復二極管制備方法，包括如下步驟：

a)、在N-型襯底表面生長一犧牲氧化層；

b)、在所述襯底上形成一P型摻雜場限環區；

c)、在所述襯底上形成一P型摻雜陽極區；

d)、刻蝕去除所述犧牲氧化層；

e)、對所述襯底退火，以形成PN結；

f)、通過離子注入向所述襯底表面注入氧；

g)、對所述襯底退火，以在所述襯底表面形成二氧化硅層；

h)、刻蝕去除所述二氧化硅層；

i)、形成所述快恢復二極管的陽極、陰極電極。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟f)中，離子注入氧的劑量為1e18/cm²至1e19/cm²,能量為15KeV至150KeV。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟g)中，退火溫度為600-1300攝氏度。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中：所述犧牲氧化層厚度為至。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)具體包括：在所述襯底上以光刻定義出場限環區域圖形，并通過離子注入B，去除光刻膠，形成所述P型摻雜場限環區。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，B注入劑量為1e14/cm²至1e15/cm²，能量為60KeV至100KeV。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)具體包括：在所述襯底上以光刻定義出陽極區圖形，并通過離子注入B，去除光刻膠，形成所述P型摻雜陽極區。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)中，B注入劑量為1e12/cm²至8e12/cm²，能量為60KeV至100KeV。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟e)中，退火溫度大體為1200度，退火時間大體為300分鐘。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟i)中，具體包括如下步驟：

i1)、在所述襯底表面生長一層場氧層；

i2)、在所述場氧層上通過光刻、刻蝕定義出場板結構；

i3)、沉積第一金屬層；

i4)、對所述第一金屬層光刻、刻蝕，形成為所述快恢復二極管的陽極；

i5）、減薄硅片所述襯底至所需厚度；

i6)、在所述襯底背面離子注入磷并退火，形成一層N+區；

i7)、在所述襯底背面沉積第二金屬層，形成為所述快恢復二極管的陰極。