[發(fā)明專利]太陽能單晶硅片清洗液及清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310419329.7 | 申請日： | 2013-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN103464415A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薛曉敏;孫翠枝 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08;C11D7/18 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 215153 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能 單晶硅 清洗 方法 | ||
1.一種太陽能單晶硅片清洗液，其特征在于，包括如下質(zhì)量百分比的各組分：
質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫溶液?????1.00%～5.00%；
氫氧化鉀????????????????????????0.05%～0.30%；以及
純水????????????????????????????94.95%～98.95%。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能單晶硅片清洗液，其特征在于，所述質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫溶液及所述氫氧化鉀的純度均在分析純以上，所述純水的電阻在10兆歐姆以上。
3.一種太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
將待清洗的太陽能單晶硅片依次經(jīng)酸洗、純水漂洗、清洗劑清洗及純水漂洗，以初步除去所述太陽能單晶硅片表面的臟污；
將上述初步清洗后的所述太陽能單晶硅片浸沒在太陽能單晶硅片清洗液中進(jìn)行清洗，其中，所述太陽能單晶硅片清洗液，包括如下質(zhì)量百分比的各組分：
質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫溶液?????1.00%～5.00%、
氫氧化鉀????????????????????????0.05%～0.30%、以及
純水????????????????????????????94.95%～98.95%；
將經(jīng)所述太陽能單晶硅片清洗液清洗后的所述太陽能單晶硅片再次進(jìn)行純水漂洗，再烘干得到表面潔凈的太陽能單晶硅片。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述酸洗過程中使用的酸液是檸檬酸溶液；所述清洗劑清洗是使用堿液清洗，所述清洗劑清洗的次數(shù)為兩次；所述純水漂洗是使用純水進(jìn)行溢流漂洗。
5.如權(quán)利要求3所述的太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫溶液及所述氫氧化鉀的純度均在分析純以上，所述純水的電阻在10兆歐姆以上。
6.如權(quán)利要求3所述的太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述太陽能單晶硅片清洗液清洗過程中溫度控制在30～50℃之間，清洗時間為200～400秒。
7.如權(quán)利要求3所述的太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，經(jīng)所述太陽能單晶硅片清洗液清洗后的所述太陽能單晶硅片的純水漂洗次數(shù)為兩次。
8.如權(quán)利要求3所述的太陽能單晶硅片的清洗方法，其特征在于，在烘干之前還包括對純水漂洗后的所述太陽能單晶硅片進(jìn)行慢拉脫水處理的步驟。
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