[發明專利]陣列基板制備方法、陣列基板以及液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201310418945.0 | 申請日: | 2013-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN103472612A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 閻長江;高建劍;王麗鵬;謝振宇;陳旭 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1339;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 以及 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板制備方法,其特征在于,包括:
形成柵極金屬層,通過構圖工藝形成包括柵極、柵極線的圖形;
形成柵極絕緣層;
形成有源層,通過構圖工藝形成包括硅島的圖形;
形成源漏金屬層,通過構圖工藝形成包括數據線的圖形;
形成第一感光樹脂層以及第二感光樹脂層,通過構圖工藝以及固化工藝形成溝道開口、接觸孔的圖形以及包括凹凸圖案的第一鈍化層;
通過刻蝕工藝刻蝕掉所述溝道開口位置處的所述源漏金屬層以及部分所述有源層,形成包括源極、漏極以及溝道的圖形。
2.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,在形成所述包括源極、漏極以及溝道的圖形之后,還包括:
形成像素電極層,通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形,所述像素電極通過所述接觸孔與所述漏極相連;
形成第二鈍化層,通過構圖工藝形成包括柵極線過孔、數據線過孔的圖形;
形成公共電極層,通過構圖工藝形成包括公共電極的圖形。
3.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述第一感光樹脂層材料的光靈敏度小于所述第二感光樹脂層材料的光靈敏度。
4.根據權利要求3所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述第一感光樹脂層材料的折射率小于所述第二感光樹脂層材料的折射率。
5.根據權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述有源層包括非晶硅半導體層以及摻雜硅半導體層。
6.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板通過權利要求1-5任一項所述的制備方法制備生成。
7.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括權利要求6所述的陣列基板,所述液晶顯示裝置中還包括:隔墊物;所述隔墊物設置于第二鈍化層的凹陷位置處,所述隔墊物的凸起形狀與所述第二鈍化層的凹陷形狀相匹配。
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