[發明專利]發光顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310418200.4
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN103887321A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 朱星中;車裕敏
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種發光顯示裝置，包括：

基板；

第一電極，布置在所述基板上；

第一絕緣薄膜，布置在所述基板上且包括暴露所述第一電極的一部分的第一開口；

第二絕緣薄膜，布置在所述第一絕緣薄膜上且包括暴露所述第一開口的第二開口；

發光層，包括發光材料，所述發光層布置在所述第一電極被所述第一開口暴露的部分上，且還與所述第一絕緣薄膜接觸；及

第二電極，布置在所述發光層上，其中所述第一電極相對于所述發光材料的潤濕和所述第一絕緣薄膜相對于所述發光材料的潤濕之間的差異低于所述第一電極相對于所述發光材料的潤濕和所述第二絕緣薄膜相對于所述發光材料的潤濕之間的差異。

2.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述第一絕緣薄膜相對于所述發光材料的潤濕與所述第一電極相對于所述發光材料的潤濕相同。

3.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述第一電極和所述第一絕緣薄膜相對于所述發光材料的接觸角等于或低于10°，且所述第二絕緣薄膜相對于所述發光材料的接觸角等于或高于50°。

4.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述第一電極包括ITO，且所述第一絕緣薄膜包括選自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅組成的組中的材料。

5.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述第一絕緣薄膜包括選自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅組成的組中的材料，且所述第二絕緣薄膜包括選自由雙對氯甲基苯、聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂組成的組中的材料。

6.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述發光層包括選自由包含Se的無機材料、包含Zn的無機材料、低分子有機材料和高分子有機材料組成的組中的材料。

7.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述第二絕緣薄膜包括感光材料。

8.根據權利要求1所述的發光顯示裝置，其中所述基板包括多個像素，且所述第一絕緣薄膜是限定多個像素中每個像素的像素限定膜。

9.根據權利要求8所述的發光顯示裝置，其中多個像素包括紅色像素區域、綠色像素區域和藍色像素區域，所述發光層包括：

紅色有機發光層，布置在所述紅色像素區域內；

綠色有機發光層，布置在所述綠色像素區域內；及

藍色有機發光層，布置在所述藍色像素區域內。

10.根據權利要求8所述的發光顯示裝置，其中所述發光層包括白色有機層。

11.根據權利要求10所述的發光顯示裝置，其中所述白色有機層包括紅色有機層、綠色有機層和藍色有機層。

12.根據權利要求10所述的發光顯示裝置，其中所述白色有機層包括黃色有機層和藍色有機層。

13.一種制造發光顯示裝置的方法，包括：

在基板上形成第一電極；

在所述基板上形成第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜，所述第一絕緣薄膜具有暴露所述第一電極的一部分的第一開口且所述第二絕緣薄膜具有對應于所述第一開口的第二開口；

在所述第一電極的暴露部分形成發光層，所述發光層包括發光材料且接觸所述第一絕緣薄膜；及

在所述發光層上形成第二電極，其中所述第一電極相對于所述發光材料的潤濕和所述第一絕緣薄膜相對于所述發光材料的潤濕差異低于所述第一電極相對于所述發光材料的潤濕和所述第二絕緣薄膜相對于所述發光材料的潤濕之間的差異。

14.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述第一絕緣薄膜和所述第二絕緣薄膜包括：

在所述基板的整個表面上沉積第一絕緣材料以覆蓋所述第一電極；

在所述第一絕緣材料的整個表面上沉積第二絕緣材料；

在所述第二絕緣材料的上部分上布置掩膜，所述掩膜具有對應所述第一電極的一部分的開口；

用光曝光第二絕緣材料；

通過使用顯影劑顯影所述第二絕緣材料形成具有所述第二開口的所述第二絕緣薄膜；及

通過使用所述第二絕緣薄膜作為蝕刻掩膜蝕刻所述第一絕緣材料形成具有所述第一開口的所述第一絕緣薄膜。