[發明專利]用于電池組保護MOSFET的公共漏極電源夾件

有效

• 申請號: 201310418130.2
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN103681669A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 吳春林;史蒂文·薩普;B·多斯多斯;S·貝拉尼;尹成根
• 申請（專利權）人: 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/495;H01L21/98;H01L21/60
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 歸瑩;張穎玲

1.一種封裝的半導體器件，包括：

引線框架，其具有延伸到外部端子上的源極引線、柵極引線和漏極引線；

單個半導體襯底，其具有上表面和下表面以及第一MOSFET和第二MOSFET，每個MOSFET具有位于所述襯底的所述上表面的源極接觸區域和柵極接觸區域，所述源極接觸區域和柵極接觸區域通過所述襯底相互隔離，且所述襯底具有位于所述襯底的所述下表面上并連接到兩個MOSFET上的公共漏極；

構件，其用于將所述引線框架的源極外部端子、柵極外部端子和漏極外部端子連接到所述襯底的所述源極、柵極和公共漏極上；

金屬部件，其耦合到所述襯底上且位于所述襯底的與所述引線框架相對的表面上；以及

模塑料，其將所述引線框架、所述襯底和所述金屬部件嵌入到絕緣樹脂中并將所述引線框架的連接到所述襯底的所述源極、柵極和直通漏極區域上的外部端子暴露在外。

2.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以將所述金屬部件的相應部分暴露在外。

3.根據權利要求1所述的封裝的半導體，其中，所述金屬部件為散熱塊，且位于所述襯底的底部的所述公共漏極通過高度摻雜擴散連接到位于所述襯底的所述上表面的漏極接觸上。

4.根據權利要求1所述的封裝的半導體，其中，所述金屬部件為夾件，且所述襯底以倒裝芯片的方式安裝在所述引線框架上，且所述夾件將所述公共漏極連接到一個或多個外部漏極引線上。

5.一種封裝的半導體器件，包括：

引線框架，其具有延伸到外部端子的源極引線、柵極引線和漏極引線；

單個半導體襯底，其具有上表面和下表面以及位于所述襯底上的第一MOSFET和第二MOSFET，每個MOSFET具有位于所述襯底的所述上表面的源極接觸區域和柵極接觸區域，所述源極接觸區域和柵極接觸區域通過所述襯底相互隔離；

擴散，其從每個MOSFET的表面延伸到所述公共漏極，以提供位于所述襯底的所述上表面與位于所述襯底的下表面的所述公共漏極的接觸；

散熱塊，其固定到所述半導體襯底的所述下表面上；以及

模塑料，其將所述引線框架、所述襯底和所述散熱塊嵌入到絕緣樹脂中并將連接到襯底的所述源極、柵極和直通漏極區域上的所述引線框架的外部端子暴露在外。

6.根據權利要求5所述的封裝的半導體器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以將所述散熱塊的相應部分暴露在外。

7.根據權利要求5所述的封裝的半導體器件，其中，所述引線框架具有位于下部的外部引線和位于上部的內部引線。

8.根據權利要求6所述的封裝的半導體器件，其中，所述引線框架具有位于其上表面上的漏極焊盤，用于接觸位于所述襯底的所述上表面的所述漏極區域。

9.根據權利要求5所述的封裝的半導體器件，其中，所述襯底以倒裝芯片的方式安裝在所述引線框架上。

10.一種封裝的多襯底半導體器件，包括：

引線框架，其具有延伸到外部端子上的源極引線、柵極引線和漏極引線；

單個半導體襯底，其具有上表面和下表面以及第一MOSFET和第二MOSFET，每個MOSFET具有位于所述襯底的所述上表面的源極接觸區域和柵極接觸區域，所述源極接觸區域和柵極接觸區域通過所述襯底相互隔離；

漏極夾件，其固定到所述襯底的公共漏極上并具有延伸到所述引線框架的所述漏極引線的一個或多個引線；以及

模塑料，其將所述引線框架、所述襯底和所述夾件嵌入到絕緣樹脂中并將連接到所述源極、柵極和漏極夾件上的所述引線框架的外部端子暴露在外。

11.根據權利要求10所述的封裝的半導體器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以將所述夾件的相應部分暴露在外。

12.根據權利要求10所述的封裝的半導體器件，其中，所述引線框架具有位于下部的外部引線和位于上部的內部引線。

13.根據權利要求12所述的封裝的半導體器件，其中，所述引線框架具有位于其上表面的用于接觸所述夾件的漏極焊盤。

14.根據權利要求10所述的封裝的半導體器件，其中，所述襯底以倒裝芯片的方式安裝在所述引線框架上。