[發(fā)明專利]一種SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310416802.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103487155A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余煜璽;李燕;傘海生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01K7/00 | 分類號(hào): | G01K7/00;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sicn 陶瓷 無(wú)線 無(wú)源 溫度傳感器 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及溫度傳感器,尤其是涉及一種SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒時(shí)內(nèi)部工作環(huán)境非常惡劣,溫度極高(>1000℃),現(xiàn)有的溫度傳感器系統(tǒng)多采用光纖(J.H.Wo,Q.Z.Sun,H.Liu,et.al,Optical?Fiber?Technology19(2013)289-292)或低頻有源的工作方式(M.A.Fonseca,J.M.English,and?M.G.Allen,J.Microelectromech.Syst.11(2002)337-343),在如此惡劣的環(huán)境下根本無(wú)法正常工作,因而渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部溫度場(chǎng)數(shù)據(jù)嚴(yán)重缺乏,嚴(yán)重限制了航空發(fā)動(dòng)機(jī)裝備技術(shù)發(fā)展。同時(shí),現(xiàn)有溫度傳感器的有線有源系統(tǒng),不能安裝在可動(dòng)部件(如發(fā)動(dòng)機(jī)葉片)上進(jìn)行工作。因此,急需要開(kāi)發(fā)可應(yīng)用于惡劣工作環(huán)境的耐超高溫(>800℃)的無(wú)線溫度傳感器,這種傳感器尤其可在發(fā)動(dòng)機(jī)葉片上進(jìn)行工作。超高溫溫度傳感器研發(fā)的困境在于耐高溫敏感元件的制備和對(duì)應(yīng)的無(wú)線信號(hào)收集方式的開(kāi)發(fā)。
聚合物先驅(qū)體熱解法制備陶瓷是利用聚合物先驅(qū)體良好的流動(dòng)性、成型性、可加工性以及結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)性等特點(diǎn),將聚合物先驅(qū)體進(jìn)行高溫?zé)峤庵苽湎冗M(jìn)陶瓷材料的一種新型成型方法。聚合物先驅(qū)體熱解法制備的陶瓷材料耐高溫、抗氧化、耐腐蝕,同時(shí)制作過(guò)程簡(jiǎn)便、成本低廉,燒結(jié)溫度可降低至1000℃,是國(guó)際上研究的熱點(diǎn)材料。聚合物先驅(qū)體聚硅氮烷制備的SiCN陶瓷耐高溫、抗腐蝕、耐輻射,是一種新型的半導(dǎo)體材料,更重要的是該SiCN陶瓷在微波頻段下的介溫特性呈現(xiàn)很好的線性關(guān)系,因此該材料可用于開(kāi)發(fā)新型超高溫?zé)o線無(wú)源溫度傳感器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有溫度傳感器所存在的溫敏元件工作溫度較低,有線測(cè)量難以承受高溫腐蝕環(huán)境等技術(shù)問(wèn)題,提供可在高溫高濕酸堿等惡劣環(huán)境下使用的一種SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器及其制備方法。
本發(fā)明所述SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器設(shè)有圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷溫敏元件,在圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷溫敏元件的表面設(shè)有耐高溫金屬層并形成諧振腔,在諧振腔表面設(shè)有槽天線。
所述圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷溫敏元件的直徑可為9~15mm,厚度可為1~5mm。圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷溫敏元件可通過(guò)聚合物先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備,所述圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷可耐1400℃甚至更高的溫度。
所述耐高溫金屬層是指熔點(diǎn)超過(guò)1000℃的金屬層;所述耐高溫金屬層的厚度可為8~25μm。
當(dāng)發(fā)射信號(hào)端給一頻率在5~15GHz的寬頻微波信號(hào),開(kāi)槽天線對(duì)此信號(hào)進(jìn)行接收,并在諧振腔內(nèi)共振選頻,選頻后(諧振頻率10.6GHz)的信號(hào)又通過(guò)開(kāi)槽天線傳送給接收模塊電路,完成無(wú)線溫度傳感器信息采集,此傳感器通過(guò)微波電磁場(chǎng)進(jìn)行信號(hào)的傳輸,克服布線問(wèn)題,具有體積小質(zhì)量輕無(wú)須任何供電系統(tǒng)的特點(diǎn),既能實(shí)現(xiàn)高溫原位測(cè)量,又能實(shí)現(xiàn)在可動(dòng)部件上的測(cè)量,大大拓寬了溫度傳感器的使用范圍。
所述SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器的制備方法,包括以下步驟:
1)制備圓柱形SiCN非晶態(tài)陶瓷溫敏元件;
(1)先制備SiCN陶瓷素胚,具體方法如下:
方法1:將先驅(qū)體聚硅氮烷與熱引發(fā)劑過(guò)氧化二異丙苯(DCP)混合后,進(jìn)行熱交聯(lián),使其由液態(tài)的聚硅氮烷變?yōu)楣虘B(tài)的聚硅氮烷,研磨成粉末后,壓成SiCN陶瓷素胚;
方法2:將聚硅氮烷與光引發(fā)劑混合后,放入模具中進(jìn)行紫外交聯(lián),得到淡黃色SiCN陶瓷素胚;
方法3:將聚硅氮烷與光引發(fā)劑混合后,進(jìn)行紫外交聯(lián)后,研磨成粉末后,壓成SiCN陶瓷素胚;
(2)在惰性氣體保護(hù)下,將SiCN陶瓷素胚熱解,再退火處理后,得溫敏元件SiCN非晶陶瓷體;
2)在溫敏元件SiCN非晶陶瓷體上表面的槽天線區(qū)域用聚酰亞胺膠帶保護(hù),在溫敏元件SiCN非晶陶瓷體表面鍍金屬層,再將聚酰亞胺膠帶去除后,所留區(qū)域即為收發(fā)電磁波信號(hào)的槽天線,至此制得圓柱形SiCN陶瓷無(wú)線無(wú)源溫度傳感器。
在步驟1)第(1)部分的方法1中,所述聚硅氮烷與熱引發(fā)劑的質(zhì)量比可為1∶(0~0.1);所述熱交聯(lián)的溫度可為120~400℃,熱交聯(lián)的時(shí)間可為1~4h;所述粉末的粒徑可為0.5~2μm。
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