[發明專利]覆晶式LED芯片

有效

• 申請號: 201310416662.2
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN104465931B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 吳裕朝;劉艷
• 申請（專利權）人: 劉艷
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 方志煒

本發明公開了一種覆晶式LED芯片，該芯片包括：基板；以及沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、隔離區、和負電極，其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向，所述隔離區在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和所述負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間，所述隔離區在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片的一條對角線在所述基板的正面上的垂直投影相互重疊。根據本發明實施例的覆晶式LED芯片可以使得正電極和負電極間的距離最長，在使用傳統LED自動固晶機生產時可以實現最佳的焊接效果，從而可以避免在覆晶式LED封裝時正電極和負電極的相互導通，提高了覆晶式LED的封裝良率。

技術領域

本發明涉及發光元件技術領域，尤其涉及一種覆晶式LED芯片。

背景技術

隨著LED（Light Emitting Diode，發光二極管）照明技術的日益發展，LED在人們日常生活中的應用也越來越廣泛。

采用覆晶（Flip Chip）方式進行封裝的LED（以下稱覆晶式LED）的固晶方式簡略，擁有更高的信賴度，使得量產可行性大幅晉升，且兼具縮短高溫烘烤的制程時間、高良率、導熱效果佳、高出光量等優勢，遂成為業界竭力開展的技術。

通過在覆晶式LED芯片的正電極以及負電極所電性連接的基板的結構上進行金球、錫球、或共晶焊接來焊接覆晶式LED芯片，以實現覆晶式LED芯片的封裝。覆晶式LED芯片的正電極和負電極之間形成有隔離區，以防止兩電極短路。為了獲得最大的發光效果，現有的覆晶式LED芯片的隔離區通常做的較窄，并且隔離區隨著正電極和負電極大小的不同而偏左或偏右設置。但是，較窄的隔離區容易在芯片封裝工藝中，因高溫等原因導致兩電極跨過隔離區電性導通從而造成短路。此外，傳統的LED自動固晶機在芯片封裝時，點針點導電金屬（例如銀膠或錫膏）的面積是一致的，一般呈對等的圓面積。現有結構的覆晶式LED芯片無法使用傳統的LED自動固晶機生產，或者在使用傳統的LED自動固晶機生產時導電金屬出現點在同一個電極上、或同時點在兩個電極上的現象，或因一個電極過小導致導電金屬溢出電極表面進而出現短路的現象。這些都影響LED的封裝良率。

發明內容

技術問題

有鑒于此，本發明要解決的技術問題是，如何提高覆晶式LED芯片的封裝良率。

解決方案

為了解決上述技術問題，根據本發明的實施例，提供了一種覆晶式LED芯片，包括：基板；以及沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、隔離區、和負電極，其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向，所述隔離區在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和所述負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間，所述隔離區在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片的一條對角線在所述基板的正面上的垂直投影相互重疊。

對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述基板為正方形。

對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述隔離區在所述水平方向上的最小寬度大于0.05mm。

對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述正電極的形狀為多邊形或者圓形，所述負電極的形狀為多邊形或者圓形。

對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述覆晶式LED芯片還包括：第一導電型半導體層，位于所述基板的正面；發光層，位于所述第一導電型半導體層的正面；第二導電型半導體層，位于所述發光層的正面；以及隔離層，位于所述第二導電型半導體層的正面；其中，所述負電極位于所述隔離層的正面，所述正電極位于所述隔離層的正面，所述隔離層裸露出的部分為所述隔離區，所述正電極通過貫穿所述隔離層的通孔與所述第二導電型半導體層電性接觸，所述負電極通過貫穿所述隔離層、所述第二導電型半導體層、以及所述發光層的通孔與所述第一導電型半導體層電性接觸。