[發(fā)明專利]通過橋接塊的多芯片模塊連接

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310416249.6
• 申請(qǐng)日: 2013-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN103824843A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·E·霍克;J·W·奧森巴赫;J·C·帕克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LSI公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/538
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種集成電路（IC）多芯片封裝組件，包括：

第一IC芯片，具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部；

第二IC芯片，具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部；以及

橋接塊，與所述第一IC芯片和所述第二IC芯片部分交疊并且具有位于其相對(duì)的端上的互連的電接觸部，所述電接觸部接觸所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的所述橋接塊接觸部，從而將所述第一IC芯片電連接到所述第二IC芯片。

2.如權(quán)利要求1所述的IC多芯片封裝組件，還包括具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部的第三IC芯片，其中所述橋接塊進(jìn)一步與所述第三IC芯片部分交疊，所述橋接塊的所述電接觸部被分成至少第一組、第二組和第三組，并且其中所述第一組接觸所述第一IC芯片的所述橋接塊接觸部，所述第二組接觸所述第二IC芯片的所述橋接塊接觸部，并且所述第三組接觸所述第三IC芯片的所述橋接塊接觸部，從而將所述第三IC芯片電連接到所述第一IC芯片和所述第二IC芯片。

3.如權(quán)利要求1所述的IC多芯片封裝組件，其中所述第一IC芯片和所述第二IC芯片中的每一個(gè)的所述橋接接觸部被分成至少第一橋接接觸部組和第二橋接接觸部組，并且所述橋接塊是電連接到所述第一IC芯片和第二IC芯片的所述第一橋接接觸部組的第一橋接塊，并且所述IC多芯片封裝組件至少還包括與所述第一IC芯片和第二IC芯片部分交疊并且在其相對(duì)的端上具有電接觸部的第二橋接塊，所述電接觸部接觸所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的所述第二橋接接觸部組。

4.如權(quán)利要求1所述的IC多芯片封裝組件，其中所述第一IC芯片和第二IC芯片的所述橋接塊接觸部和所述橋接塊的所述電接觸部是高密度接觸部。

5.如權(quán)利要求1所述的IC多芯片封裝組件，其中所述橋接塊在所述第一IC芯片和所述第二IC芯片之間提供數(shù)據(jù)傳輸路徑。

6.一種集成電路（IC）多芯片封裝組件，包括：

第一子封裝組件，包括：

第一IC芯片，具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部；

第二IC芯片，具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部；以及

橋接塊，與所述第一IC芯片和所述第二IC芯片部分交疊并且在其相對(duì)的端上具有互連的電接觸部，所述電接觸部接觸所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的所述橋接塊接觸部，從而將所述第一IC芯片電連接到所述第二IC芯片；以及

第二子封裝組件，包括：

具有結(jié)合墊的第二襯底，其中所述第一IC芯片和第二IC芯片的所述封裝襯底接觸部通過結(jié)合接觸部連接到所述第二子封裝組件的所述結(jié)合墊，所述橋接塊具有小于所述結(jié)合接觸部厚度的厚度并且位于所述第一子封裝組件和所述第二子封裝組件之間。

7.如權(quán)利要求6所述的IC多芯片封裝組件，其中所述電連接結(jié)構(gòu)包括焊料塊或者銅柱。

8.如權(quán)利要求6所述的IC多芯片封裝組件，其中所述第一子封裝組件還包括具有封裝襯底接觸部和橋接塊接觸部的第三IC芯片，其中所述橋接塊進(jìn)一步與所述第三IC芯片部分交疊，所述橋接塊的所述電接觸部被分成至少第一組、第二組和第三組，并且其中所述第一組接觸所述第一IC芯片的所述橋接塊接觸部，所述第二組接觸所述第二IC芯片的所述橋接塊接觸部，并且所述第三組接觸所述第三IC芯片的所述橋接塊接觸部，從而將所述第三IC芯片電連接到所述第一IC芯片和所述第二IC芯片。

9.如權(quán)利要求6所述的IC多芯片封裝組件，其中所述第一IC芯片和所述第二IC芯片中的每一個(gè)的所述橋接接觸部被分成至少第一橋接接觸部組和第二橋接接觸部組并且所述橋接塊是電連接到所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的所述第一橋接接觸部組的第一橋接塊，并且所述第一IC多芯片封裝組件至少還包括與所述第一IC芯片和所述第二IC芯片部分交疊并且在其相對(duì)的端上具有電接觸部的第二橋接塊，所述電接觸部接觸所述第一IC芯片和第二IC芯片的所述第二橋接接觸部組。

10.如權(quán)利要求6所述的IC多芯片封裝組件，其中所述橋接塊沒有穿通硅通路（TSV）。