[發(fā)明專利]適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310415784.X | 申請日： | 2013-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN103439012A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙清源;陳健;張蠟寶;康琳;吳培亨 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京大學(xué) |
| 主分類號： | G01J11/00 | 分類號： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 適用于 導(dǎo)納 米線 光子 探測器 室溫 讀出 電路 | ||
1.一種適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，包括由探測器到外部檢測儀器的同軸線、功分器、直流偏置回路和射頻放大回路；所述探測器的輸出信號通過同軸線由低溫工作區(qū)傳輸至室溫環(huán)境；所述功分器將輸出信號等分為二路，一路信號經(jīng)過射頻放大回路至外部檢測儀器，另一路信號經(jīng)過直流偏置回路中的偏置束的射頻端口泄放至匹配的負載上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述探測器安裝在制冷裝置的內(nèi)部，所述探測器通過制冷裝置的同軸電纜接口的一側(cè)連接室溫讀出電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述制冷裝置的同軸電纜接口的另一側(cè)接功分器的合并端口，所述功分器的第一分束端口接直流偏置回路，所述功分器的第二分束端口接射頻放大回路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述功分器為電阻型功分器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述射頻放大回路包括射頻放大器和同軸反射線，所述射頻放大器的輸入前端接同軸線，所述同軸線的末端接短路負載，所述同軸線和短路負載構(gòu)成同軸反射線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述射頻放大器使用交流耦合方式。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述同軸線通過SMA三通接頭并聯(lián)在射頻放大器的輸入端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述直流偏置回路包括依次連接的偏置束、偏置電阻和可調(diào)電壓源。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述偏置束的射頻和直流公共端口接功分器的第一分束端口，所述偏置束的射頻輸出端口接???????????????????????????????????????????????的匹配負載，所述偏置束的直流接入端口接的偏置電阻和可調(diào)電壓源。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述適用于超導(dǎo)納米線單光子探測器的室溫讀出電路，其特征在于，所述可調(diào)電壓源為可調(diào)直流電壓源，通過串聯(lián)電阻對探測器進行恒流源偏置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京大學(xué)，未經(jīng)南京大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310415784.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
