[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310415331.7
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN103681536B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 田中孝征;巖見佳奈
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L25/07
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 褚海英;陳桂香

1.一種半導體裝置，其包括：

第一半導體芯片及第二半導體芯片，所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片彼此凸塊接合，并且所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的間隙被從所述第一半導體芯片的與所述第二半導體芯片接合的表面上的指定位置注入的樹脂密封，以使得通過凸塊接合所形成的凸塊間空隙被所述樹脂填充；以及

多個凹凸部，其形成于所述第一半導體芯片的與所述第二半導體芯片接合的所述表面側上并具有突出部，所述突出部跨過所述多個凹凸部中的形成于所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的接合區域的周圍部分中的凸部之中的至少一個凸部。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個凹凸部的縱向是與從所述指定位置注入的所述樹脂在所述第一半導體芯片上的前進方向平行的方向，以及

當從所述樹脂的所述注入位置觀察時，所述突出部在所述第一半導體芯片上形成于與所述第二半導體芯片的所述接合區域的兩個側表面側的區域上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述多個凹凸部的縱向是與從所述指定位置注入的所述樹脂在所述第一半導體芯片上的前進方向相交的方向，以及

當從所述樹脂的所述注入位置觀察時，所述突出部在所述第一半導體芯片上形成于與所述第二半導體芯片的所述接合區域的背面側的區域上。

4.如權利要求1或3所述的半導體裝置，其中，

所述多個凹凸部的縱向是與從所述指定位置注入的所述樹脂在所述第一半導體芯片上的前進方向相交的方向，以及

當從所述樹脂的所述注入位置觀察時，所述突出部在所述第一半導體芯片上形成于與所述第二半導體芯片接合的所述接合區域的正面側的區域上。

5.如權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其中，所述多個凹凸部是隨著布線的形成而設置的。

6.如權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述突出部包含環氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸、Al、P、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Au、Pb及Bi之任一者。

7.如權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其中，所述突出部的高度為0.1μm～3μm，且所述凸部的高度為15μm～25μm。

8.如權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其中，所述突出部的一部分切入所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的所述接合區域的內部。

9.一種制造半導體裝置的方法，其包括：

在第一半導體芯片上形成突出部，所述第一半導體芯片的與第二半導體芯片接合的表面側上形成有多個凹凸部以及用于凸塊接合所述第二半導體芯片的凸塊，所述突出部跨過所述凹凸部中的形成于所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的接合區域的周圍部分中的凸部之中的至少一個凸部；

將所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片凸塊接合在一起；以及

通過從所述第一半導體芯片的與所述第二半導體芯片接合的所述表面上的指定位置注入樹脂，并且用所述樹脂填充在所述凸塊接合步驟隨著所述凸塊接合而形成的凸塊間空隙，從而密封所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的間隙。