[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310414653.X
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN104465572B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田云翔;丁一權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

參考圖1，其顯示已知基板的對位連接示意圖。已知第一基板11及第二基板12在對位連接過程中，因二基板對位不準(zhǔn)，將造成第一基板11的導(dǎo)電柱111不能與第二基板12的導(dǎo)電柱121順利電性連接。另外，在基板本身制作上，導(dǎo)電柱間的距離可能因誤差造成距離不一的情形，在二基板對位連接時，可能造成二基板的導(dǎo)電柱不能順利電性連接。再者，若兩基板之間存在熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異或是兩基板加熱的溫度不同，于基板加熱時，因為熱脹的影響，造成基板的導(dǎo)電柱對接時的偏移，特別是在基板角落的導(dǎo)電柱更為明顯，如此也可能造成二基板的導(dǎo)電柱存在不能順利電性連接的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的一方面是關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)。在一實施例中，該封裝結(jié)構(gòu)包括：一第一基板、一第二基板及封膠。該第一基板包括一第一基板本體、數(shù)個第一導(dǎo)電墊及數(shù)個第一導(dǎo)電元件，該第一基板本體具有一第一表面，該等第一導(dǎo)電墊設(shè)置于該第一表面，該等第一導(dǎo)電元件分別形成于該等第一導(dǎo)電墊上，且突出該第一表面，該等第一導(dǎo)電元件具有一第一截面積，該第一截面積平行于該第一表面且該第一截面積具有一第一長軸及一第一短軸。該第二基板包括一第二基板本體、數(shù)個第二導(dǎo)電墊及數(shù)個第二導(dǎo)電元件，該第二基板本體具有一第二表面，面對該第一基板的該第一表面，該等第二導(dǎo)電墊設(shè)置于該第二表面，該等第二導(dǎo)電元件分別形成于該等第二導(dǎo)電墊上，且突出該第二表面；該第二基板的該等第二導(dǎo)電元件與該第一基板的該等第一導(dǎo)電元件相連且電性連接，該等第二導(dǎo)電元件具有一第二截面積，該第二截面積平行于該第二表面且該第二截面積具有一第二長軸及一第二短軸，每一該等第二導(dǎo)電元件的第二長軸與相對應(yīng)的每一該等第一導(dǎo)電元件的第一長軸形成一大于0度的夾角，該第一截面積及該第二截面積形成一重迭區(qū)域。封膠設(shè)置于該第一基板及該第二基板之間。

本揭露的一方面是關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)。在一實施例中，該封裝結(jié)構(gòu)包括：一第一基板、一第二基板、一芯片及封膠。該第一基板包括一第一基板本體及數(shù)個第一導(dǎo)電元件，該第一基板本體具有一第一表面，該等第一導(dǎo)電元件分別突出該第一表面，該等第一導(dǎo)電元件具有一第一截面積，該第一截面積平行于該第一表面，且該第一截面積具有一第一長軸及一第一短軸。該第二基板包括一第二基板本體及數(shù)個第二導(dǎo)電元件，該第二基板本體具有一第二表面，面對該第一基板的該第一表面；該等第二導(dǎo)電元件分別突出該第二表面，該第二導(dǎo)電元件與該第一導(dǎo)電元件相連且電性連接，該等第二導(dǎo)電元件具有一第二截面積，該第二截面積平行于該第二表面且該第二截面積具有一第二長軸及一第二短軸，每一該等第二導(dǎo)電元件的第二長軸與相對應(yīng)的每一該等第一導(dǎo)電元件的第一長軸形成一大于0度的夾角，該第一截面積及該第二截面積形成一重迭區(qū)域。該芯片位于該第一基板與第二基板之間，并電性連接該第一基板，其中該等第一導(dǎo)電元件及該等第二導(dǎo)電元件圍繞該芯片外。封膠設(shè)置于該第一基板及該第二基板之間。

當(dāng)二基板對位連接時，若第一導(dǎo)電元件與第二導(dǎo)電元件之間具有偏移量，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的重迭區(qū)域面積的一致性較佳。并且，若偏移量增加，本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的重迭區(qū)域面積較已知技術(shù)的重迭區(qū)域面積大，顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)對于偏差量具有更高容忍度，此外，兩基板之間存在較高偏移量時，由于本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電元件與第二導(dǎo)電元件之間的重迭區(qū)域面積較大，因此本發(fā)明第一導(dǎo)電元件與第二導(dǎo)電元件之間具有較高的接合可靠度。

附圖說明

圖1顯示已知基板的對位連接示意圖；

圖2顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的一實施例的示意圖；

圖3顯示本發(fā)明第一基板的一實施例的上視示意圖；

圖4顯示本發(fā)明第二基板的一實施例的上視示意圖；

圖5顯示本發(fā)明第一基板及第二基板對位連接后的一實施例的示意圖；

圖6顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的一實施例的一局部放大示意圖；

圖7顯示本發(fā)明第一基板及第二基板對位連接后的另一實施例的示意圖；

圖8顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的另一實施例的一局部放大示意圖；

圖9顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的一實施例的一側(cè)面示意圖；

圖10顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的又一實施例的示意圖；及

圖11顯示本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的又一實施例的一局部放大示意圖。

具體實施方式