[發明專利]一種基于native NMOS晶體管的高電源抑制LDO穩壓器

無效

• 申請號: 201310414627.7
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN103455076A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 李景虎;張遠燚;劉德佳
• 申請（專利權）人: 福建一丁芯光通信科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 張宏威

1.一種基于native?NMOS晶體管的高電源抑制LDO穩壓器，其特征在于，它包括誤差放大器A₁、電阻R₁、電阻R₂、濾波電阻R_F、濾波電容C_F、第一native?NMOS晶體管M_NA1和第二native?NMOS晶體管M_NA2；

誤差放大器A₁的同相輸入端連接參考電壓V_REF的輸出端，誤差放大器A₁的反相輸入端連接反饋節點V_F1，電阻R₁和電阻R₂的公共節點作為反饋節點V_F1；

誤差放大器A₁的輸出端V_{O_A1}連接第一native?NMOS晶體管M_NA1的柵極；第一native?NMOS晶體管M_NA1的漏極連接電源V_DD，第一native?NMOS晶體管M_NA1的源極連接電阻R₁的一端；電阻R₁的另一端連接電阻R₂的一端，電阻R₂的另一端連接GND；

誤差放大器A₁的輸出端V_{O_A1}還連接濾波電阻R_F的一端，濾波電阻R_F的另一端連接濾波電容C_F的一端，濾波電容C_F的另一端連接GND；濾波電阻R_F和濾波電容C_F的公共端V_F連接第二native?NMOS晶體管M_NA2的柵極，第二native?NMOS晶體管M_NA2的漏極連接電源V_DD；第二native?NMOS晶體管M_NA2的源極為LDO穩壓器輸出端V_OUT。