[發(fā)明專利]一種晶圓級高密度布線制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310414021.3
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN103441079A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭洪巖;張黎;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進(jìn)封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種晶圓級高密度布線制備方法，其包括以下工藝過程：

提供硅晶圓（100），所述硅晶圓（100）的表面選擇性地形成電鍍種子層Ⅰ（210）,并在所述電鍍種子層Ⅰ（210）的表面沉積布線A（220），相鄰的所述布線A（220）之間設(shè)置間距；?

于所述布線A（220）的頂部和側(cè)壁以及電鍍種子層Ⅰ（210）的側(cè)壁形成介電層（230）；

相鄰的所述布線A（220）之間的硅晶圓（100）的表面形成電鍍種子層Ⅱ（310），并于所述電鍍種子層Ⅱ（310）的表面沉積布線B（330）。

2.如權(quán)利要求1所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，所述介電層（230）通過噴涂或旋涂的方法形成于硅晶圓（100）的表面和布線A（220）的外圍。

3.如權(quán)利要求2所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，相鄰布線A（220）之間的硅晶圓（100）表面的所述介電層（230）通過光刻或干法刻蝕的方法去除。

4.如權(quán)利要求3所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，相鄰的所述布線A（220）之間的硅晶圓（100）的表面形成電鍍種子層Ⅱ（310）之前還包括步驟：所述電鍍種子層Ⅱ（310）通過濺射或蒸鍍的方法形成于硅晶圓（100）的表面和介電層（230）的表面。

5.如權(quán)利要求4所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，于電鍍種子層Ⅱ（310）的表面噴涂光阻層（320）或于布線A（220）頂部的電鍍種子層Ⅱ（310）的表面貼附光阻層（320）。

6.如權(quán)利要求5所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，相鄰的所述布線A（220）之間的光阻層（320）通過曝光顯影的方法去除，并形成光阻層開口（321）。

7.如權(quán)利要求6所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，于相鄰的所述布線A（220）之間的光阻層開口（321）處的電鍍種子層Ⅱ（310）的表面通過電鍍的方法沉積布線B（330）。

8.如權(quán)利要求6所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，通過相鄰的所述布線A（220）之間的光阻層開口（321）于電鍍種子層Ⅱ（310）的表面通過電鍍的方法沉積布線B（330）。

9.如權(quán)利要求7或8所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，所述布線A（220）外圍無效區(qū)域的電鍍種子層Ⅱ（310）通過濕法刻蝕或激光刻蝕的方法去掉。

10.如權(quán)利要求9所述的一種晶圓級高密度布線制備方法，其特征在于，所述布線A（220）外圍無效區(qū)域的電鍍種子層Ⅱ（310）通過濕法刻蝕或激光刻蝕的方法去掉之前包括步驟：

去除剩余的所述光阻層（320）。