[發明專利]基于高分子材料老化試驗的太陽光輻照的監測及分析方法有效
| 申請號: | 201310413915.0 | 申請日: | 2013-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103499390A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發明(設計)人: | 馮皓;馬堅;秦漢軍 | 申請(專利權)人: | 中國電器科學研究院有限公司 |
| 主分類號: | G01J3/28 | 分類號: | G01J3/28;G01N17/00 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 宣國華 |
| 地址: | 510300 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 高分子材料 老化試驗 太陽光 輻照 監測 分析 方法 | ||
1.基于高分子材料老化試驗的太陽光輻照的監測及分析方法,該方法包括如下步驟:
(1)在大氣暴露試驗場內,選擇與高分子材料試驗樣品處于同等太陽輻照條件的位置作為監測點,對該監測點的太陽光譜進行測量,獲得以波長λ為橫坐標、瞬時太陽光輻照強度Eeλ為縱坐標的瞬時太陽光譜圖,以及當次測量的總太陽光輻照強度Ee,每天監測的太陽光譜數據不少于50組;
(2)根據步驟(1)獲得的數據,分析高分子材料試驗樣品老化歷程、預測高分子材料試驗樣品的使用壽命,并且為開發高分子材料人工光老化加速試驗方法和試驗設備提供依據。
2.根據權利要求1所述的基于高分子材料老化試驗的太陽光輻照的監測及分析方法,其特征在于:所述步驟(1)中,對太陽光譜測量獲得的數據進行如下步驟的處理:
(1.1)將每次測得的太陽光譜數據用比強度作圖,即用波長λ下的瞬時太陽光輻照強度Eeλ除以當次測量的總太陽光輻照強度Ee,得到該波長λ下太陽輻照強度在總強度中所占的比例,該比例即為比強度,以比強度為縱坐標,波長λ為橫坐標繪制出相對太陽光譜圖;
(1.2)用步驟(1.1)獲得的相對太陽光譜圖進行統計平均,求得每天的平均相對太陽光譜圖,分析每一組相對太陽光譜圖與平均相對太陽光譜圖之間的一致性,當相對太陽光譜圖與平均相對太陽光譜圖的光譜強度數據的相似度達到95%時,即認為兩者一致,對多組光譜強度數據重復上述過程,最終獲得不少于20組符合一致性要求的光譜強度數據再次進行統計平均,得到當天的平均相對太陽光譜圖;
其中,相對太陽光譜圖與平均相對太陽光譜圖的光譜強度數據的相似度采用公式(1)進行計算,
式中:
Eeλi——第i次測得的瞬時太陽光譜在某一波長段處的輻照強度,單位W/(m2·nm)
——當日在同一波長段處的輻照強度的統計平均值,單位W/(m2·nm)
Eei——第i次測得的瞬時太陽光譜的總輻照強度,單位W/m2
Eeθ——當日測量的太陽光譜的總輻照強度的統計平均值,單位W/m2
i——當日測量的樣本編號,i=1~50。
3.根據權利要求2所述的基于高分子材料老化試驗的太陽光輻照的監測及分析方法,其特征在于:所述步驟(1.2)后還包括步驟:
(1.3)若通過步驟(1.2)后獲得的一致性數據少于20組,則篩除相似度小于90%的數據組,重復步驟(1.2),若最終獲得的一致性數據仍少于20組,需在當天下午的14:00~16:00之間進行太陽光譜數據的補測,補測后獲得的太陽光數據重復步驟(1.1)~(1.2)進行補充分析。
4.根據權利要求1至3任一項所述的基于高分子材料老化試驗的太陽光輻照的監測及分析方法,其特征在于:測量前,使用標準能量燈對整個測量系統進行校準,確保每次測量結果的基準一致,保證測量結果的重現性和可比性。
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