[發明專利]一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法

無效

• 申請號: 201310413745.6
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN103441098A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 郭洪巖;張黎;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

技術領域

本發明涉及一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

隨著電子產品不斷向輕、薄、短、小方向發展，晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP，Wafer?Level?Chip?Scale?Package）越來越受到歡迎。在晶圓級封裝中采用再布線技術對芯片的輸入/輸出接口在晶圓表面進行重新排布，以方便最終的貼裝。隨著芯片集成密度的提高和芯片功能的復雜化，芯片面積不斷縮小，而輸入/輸出端口卻不斷增加，這就使得再布線層的布線密度越來越大，既線間距越來越小。

傳統的晶圓級再布線工藝的主要流程如下：首先在硅晶圓表面濺射電鍍種子層，然后通過光刻方式在電鍍種子層上形成光刻膠開口圖形，最后通過電鍍的方式在光刻膠開口內沉積等高的布線層。隨著布線密度的增大，相鄰兩條布線之間的光刻膠要求很窄，這種窄的光刻膠在電鍍布線時不僅容易被鍍液沖刷掉，而且也容易發生滲鍍現象從而導致相鄰的布線橋連短路，導致產品失效，影響產品良率；而等高的布線格局也使實際的使用受到限制。

發明內容

本發明的目的在于克服上述工藝不足，提出一種可以降低工藝難度、有效地避免傳統再布線工藝中的橋連問題、布線格局具有高度差的晶圓級高密度布線的簡易制備方法。

本發明的目的是這樣實現的:

一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法，其包括以下工藝過程：

提供硅晶圓，所述硅晶圓的表面形成電鍍種子層和電鍍種子層表面的布線A，相鄰的所述布線A之間設置間距；

相鄰的所述布線A之間通過電鍍的方式沉積布線B；

去除布線A和布線B之間無效區域的電鍍種子層，形成布線A與布線B相間的布線格局。

可選地，相鄰的所述布線A之間通過電鍍的方式沉積布線B之前包括步驟：

所述電鍍種子層的表面涂覆光阻層，所述光阻層完全覆蓋布線A。

可選地，相鄰布線A之間的電鍍種子層表面的所述光阻層通過光刻或干法刻蝕的方法去除，并形成光阻層開口。

可選地，所述布線B通過電鍍的方式于光阻層開口處沉積于電鍍種子層的表面。

可選地，所述布線A和布線B之間無效區域的電鍍種子層通過濕法刻蝕或激光的方法去除。

可選地，去除布線A和布線B之間無效區域的電鍍種子層之前還包括步驟：

去除剩余的所述光阻層。

可選地，相鄰的所述布線A的間距大于布線B的寬度。

可選地，所述電鍍種子層為多層金屬層。

本發明的有益效果是：

1、本發明通過制備具有較大間距的布線A，再于相鄰布線A之間制備布線B，可以獲得高密度的布線格局，降低了工藝難度，同時避免了傳統再布線工藝中的橋連問題。

2、本發明通過電鍍的方法先制備布線A、再制備布線B，可以形成具有高度差的布線格局，方便實際使用。

附圖說明

圖1為本發明一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法的流程圖。

圖2～圖7為本發明一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法的示意圖。

其中：

硅晶圓100

電鍍種子層200

布線A310

布線B320

光阻層400

光阻層開口401。

具體實施方式

參見圖1，本發明一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法，其工藝流程如下：

執行步驟S101：提供硅晶圓，所述硅晶圓的表面形成電鍍種子層和電鍍種子層表面的布線A，相鄰的所述布線A之間設置間距；

執行步驟S102：相鄰的所述布線A之間通過電鍍的方式沉積布線B；

執行步驟S103：去除布線A和布線B之間無效區域的電鍍種子層，形成布線A與布線B相間的布線格局。

本發明一種晶圓級高密度布線的簡易制備方法，其實施例的工藝過程如下：

如圖2所示，提供硅晶圓100，并在硅晶圓100上通過濺射或蒸鍍的方法形成電鍍種子層200，電鍍種子層200可以為單層金屬結構，也可以為多層金屬結構，再通過光刻和電鍍的方法形成電鍍種子層200表面的布線A310，布線A310的排布方式根據實際需要確定，相鄰的所述布線A310之間設置間距，該間距大于布線B320的寬度，以便布線B320能夠有足夠的空間制作；

如圖3所示，光阻層400以噴涂法或旋涂法(spincoating)方式完全覆蓋布線A310和電鍍種子層200的表面；