[發(fā)明專利]探針阻抗匹配方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310413104.0 | 申請日: | 2013-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN104422797A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李心賢;方子正 | 申請(專利權(quán))人: | 世鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/067 | 分類號: | G01R1/067;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;趙根喜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探針 阻抗匹配 方法 | ||
1.一種探針阻抗匹配方法,包含:
提供一探針半成品,該探針半成品包含一接地層、一基板及一探針層,該接地層與該探針層由該基板絕緣地間隔開,該探針半成品具有一初始阻抗值;及
形成至少一介電層于該基板及該探針層之上,以使該初始阻抗值降低至一目標阻抗值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行形成至少一介電層于該基板及該探針層之上的步驟后,還包含于該至少一介電層上形成至少一調(diào)節(jié)塊的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該初始阻抗值大于該目標阻抗值3%至5%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,形成至少一介電層于該基板及該探針層之上的方法包括借由沉積、涂布、印刷的方式形成該至少一介電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該至少一介電層的一材料包含氧化物、氮化物或高分子聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該探針層的一材料包含金、銅、鎳、鎳錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或錫鉛合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,該至少一調(diào)節(jié)塊的一材料包含金、銅、鎳、鎳錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或錫鉛合金。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于世鼎科技股份有限公司,未經(jīng)世鼎科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310413104.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





