[發明專利]免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法

有效

• 申請號: 201310412558.6
• 申請日: 2013-09-11
• 公開（公告）號: CN103474393A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 薛愷;于大全
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.提供晶圓(1)作為襯底，在晶圓(1)中形成盲孔(3)，并在晶圓(1)上表面和盲孔(3)的內壁上制作絕緣層(2)；

S2.在晶圓(1)上表面和盲孔(3)內壁的絕緣層(2)上制作阻擋層(401)和種子層(402)；種子層(402)位于阻擋層(401)之外，種子層(402)的材料為金屬；

S3.在盲孔(3)中填充第二金屬材料(5)，所采用的第二金屬材料(5)和種子層(402)的材料相同；

S4.利用電化學拋光技術去除步驟S3填充盲孔(3)過程中在晶圓(1)表面的第二金屬材料(5)和所述種子層(402)；并控制盲孔(3)中填充的第二金屬材料(5)的頂部和阻擋層(401)之間的臺階高度在-3um到3um之內；

S5.對晶圓(1)進行退火工藝；

S6.利用電化學拋光技術對盲孔(3)中填充的第二金屬材料(5)的頂部和阻擋層(401)之間的臺階進行修正，使得該臺階趨于消失；

S7.在晶圓(1)上表面制作第一層再布線結構(9)，再布線工藝時利用晶圓(1)上表面的阻擋層(401)；

S8.利用濕法腐蝕工藝去除晶圓(1)上表面第一層再布線結構(9)的區域以外的阻擋層(401)，使得阻擋層(401)圖形化。

2.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于，所述步驟S8之后，還包括下述步驟：

S9.在晶圓(1)上表面制作介質層(10)；

S10.在介質層(10)中制作連通第一層再布線結構(9)的通孔11；

S11.在晶圓(1)的上表面制作微凸點結構(12)或焊盤結構，所述微凸點結構(12)或焊盤結構通過通孔(11)與第一層再布線結構(9)電連接。

3.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述步驟S1中，具體利用深反應離子刻蝕工藝在晶圓(1)中形成盲孔(3)。

4.如權利要求3所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述盲孔(3)的深寬比大于等于3:1。

5.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述步驟S2中，具體利用PVD工藝在晶圓(1)上表面和盲孔(3)內壁的絕緣層(2)上淀積制作阻擋層(401)和種子層(402)。

6.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述阻擋層(401)的材料選自鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、氮化鎢、釩、氮化釩、鈮、氮化鈮中的一種。

7.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述步驟S3中，具體利用電鍍工藝在盲孔(3)中填充第二金屬材料(5)。

8.如權利要求1所述的免CMP的電鍍面銅去除及阻擋層復用的工藝方法，其特征在于：所述種子層(402)的材料和盲孔(3)中填充的第二金屬材料(5)均為銅。