[發明專利]半導體存儲系統

在審

• 申請號: 201310412411.7
• 申請日: 2013-09-11
• 公開（公告）號: CN103996411A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 全炳得
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年2月20日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0018041的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

各種實施例涉及一種半導體電路，更具體而言，涉及一種半導體存儲系統。

背景技術

圖1是說明根據已知技術的半導體存儲器1的配置的框圖。

根據已知技術的半導體存儲器具有多個獨立操作的通道。

即，如圖1中所示，根據已知技術的半導體存儲器1包括多個通道CHANNEL?A至CHANNEL?D。

所述多個通道CHANNEL?A至CHANNEL?D中的每個包括外圍電路塊。

在易失性半導體存儲器的情況下，除非執行刷新操作，否則信息最終會消失。因此，諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）的半導體存儲器應當執行刷新操作。

因此，根據已知技術的半導體存儲器1包括用于確定刷新操作周期、即自我刷新操作周期的刷新周期信號發生塊。

所述多個通道CHANNEL?A至CHANNEL?D共用刷新周期信號發生塊中產生的刷新周期信號SPERIOD，并且響應于刷新周期信號SPERIOD而執行刷新操作。

因為所述多個通道CHANNEL?A至CHANNEL?D共用刷新周期信號SPERIOD，所以所述多個通道CHANNEL?A至CHANNEL?D的刷新周期是基于在測試過程（例如，晶圓測試）中判斷出的具有最差刷新特性的通道來確定的。

與刷新特性好的通道相比，刷新特性差的通道需要頻繁地執行刷新操作。

因此，根據已知技術，由于刷新特性好的通道也利用與刷新特性差的通道大體相同的周期來執行刷新操作，產生了不必要的電流消耗，導致半導體存儲器的整體電流消耗增加。

發明內容

本文描述了一種能夠減小電流消耗的半導體存儲系統。

在本發明的一個實施例中，一種半導體存儲系統包括：半導體存儲器，所述半導體存儲器被配置成：將多個刷新特性信息提供給外部，以及響應于多個自動刷新命令來執行自動刷新操作；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成：將根據多個刷新特性信息而產生的多個自動刷新命令提供給半導體存儲器。

存儲器控制器可以被配置成根據多個刷新特性信息來獨立地設定多個自動刷新命令的周期。

在本發明的一個實施例中，一種半導體存儲系統包括：半導體存儲器，所述半導體存儲器被配置成：根據相應通道的刷新特性而將多個刷新特性信息提供給外部、響應于多個自動刷新命令而執行用于相應通道的自動刷新操作、以及停止與多個自我刷新停止命令相對應的通道的自我刷新操作；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成將多個自動刷新命令和多個自我刷新停止命令提供給半導體存儲器。

存儲器控制器可以被配置成根據通道使用信息來選擇性地激活多個自動刷新命令和多個自我刷新停止命令。

本技術的半導體存儲系統能夠減小電流消耗。

在一個實施例中，一種半導體存儲系統包括：自我刷新周期控制單元，所述自我刷周期控制單元被配置成根據內部設定信息而產生多個自我刷新周期信號，每個自我刷新周期信號具有獨立的周期；以及多個半導體存儲器單元區，所述多個半導體存儲器單元區被配置成具有彼此不同的刷新特性，并且每個半導體存儲器單元區響應于多個自我刷新周期信號中的一個而執行自我刷新操作。

在一個實施例中，一種存儲系統包括：存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成根據多個刷新特性信息而產生多個自動刷新命令；以及半導體存儲器，所述半導體存儲器被配置成：根據相應通道的刷新特性而將多個刷新特性信息提供給外部電路，以及響應于多個自動刷新命令而執行用于相應通道的自動刷新操作。

在一個實施例中，一種電子設備包括：半導體存儲系統，所述半導體存儲系統與中央處理單元通信地耦接；所述半導體存儲系統包括：存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成根據多個刷新特性信息來產生多個自動刷新命令；以及半導體存儲器，所述半導體存儲器被配置成：根據相應通道的刷新特性而將多個刷新特性信息提供給外部電路，以及響應于多個自動刷新命令而執行用于相應通道的自動刷新操作。

附圖說明

結合附圖來描述本發明的特點、方面和實施例，其中：

圖1是說明根據已知技術的半導體存儲器1的配置的框圖；

圖2是說明根據本發明的一個實施例的半導體存儲系統100的配置的框圖；

圖3是說明根據本發明的一個實施例的圖2中的半導體存儲器300的配置的框圖；