[發明專利]一種C/C-SiC-ZrC陶瓷基復合材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201310412248.4 | 申請日： | 2013-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN103722823A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 陳照峰;汪洋 | 申請（專利權）人： | 太倉派歐技術咨詢服務有限公司 |
| 主分類號： | B32B18/00 | 分類號： | B32B18/00;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic zrc 陶瓷 復合材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種C/C-SiC-ZrC陶瓷基復合材料，由C纖維、C基體、SiC基體和ZrC基體組成，其特征在于SiC基體存在于C/C骨架和ZrC基體之間。
2.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的C纖維所占的體積分數為45～55％。
3.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的C基體所占的體積分數為5～10％。
4.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的SiC基體所占的體積分數為5～10％。
5.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的ZrC基體所占的體積分數為25～45％。
6.一種C/C-SiC-ZrC陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于包括下述順序的步驟：
(1)將C纖維編織或疊層制備增強結構，C纖維所占的體積分數為45～55％；
(2)通過化學氣相滲透的方法沉積熱解碳，然后進行高溫石墨化處理合成C/C骨架，溫度1500～2500℃；
(3)再通過聚碳硅烷液相浸漬裂解引入SiC增密復合材料；
(4)然后浸置硼酚醛樹脂，高溫裂解形成C；
(5)通過融滲法滲金屬鋯，溫度1900～2200℃，反應生成ZrC；
(6)融滲后進行高溫熱處理，熱處理溫度為1500～1800℃；
(7)得到C/C-SiC-ZrC陶瓷基復合材料。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太倉派歐技術咨詢服務有限公司，未經太倉派歐技術咨詢服務有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310412248.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種可拆式間隙尺
- 下一篇：一種長管內徑綜合量規
