[發明專利]一種鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201310412247.X | 申請日： | 2013-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN103724041A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 陳照峰;汪洋 | 申請（專利權）人： | 太倉派歐技術咨詢服務有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/83 | 分類號： | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622 |
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| 地址： | 215400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鑲嵌 sic 陶瓷 復合材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鑲嵌C／C的C／SiC陶瓷基復合材料，由C／C復合材料和C／SiC陶瓷基復合材料組成，其特征在于在C／C復合材料周圍包裹一層C／SiC陶瓷基復合材料。
2.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的C／SiC陶瓷基復合材料厚度為5～20mm。
3.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于所述的C／SiC陶瓷基復合材料中的C纖維所占C／SiC陶瓷基復合材料的體積分數為40～60％。
4.一種鑲嵌C／C的C／SiC陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于包括下述順序的步驟：
(1)在制備好的C／C復合材料表面包裹一層碳纖維編織體，編織體的厚度為5～20mm；
(2)通過化學氣相滲透法制備C界面；
(3)通過聚碳硅烷液相浸漬熱解的方法向碳纖維編織體中滲入SiC；
(4)得到一種鑲嵌C／C的C／SiC陶瓷基復合材料。
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