[發明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201310411131.4
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN103474472A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 杜鵬;陳政鴻
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵極；

第一絕緣層，設置在所述柵極上；

第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上方；

半導體層、源極和漏極，設置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間；

導電層，設置在所述第二絕緣層上，并與所述柵極相互導通，使得所述薄膜晶體管在打開狀態時，增大形成在所述半導體層的導電溝道中的開態電流，在關閉狀態時，減小所述導電溝道中的關態電流。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述柵極的上方設置第一開孔，所述第一開孔穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，并露出所述柵極，所述導電層通過所述第一開孔與所述柵極連接。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述導電層為ITO膜或金屬層。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層設置在所述第一絕緣層上，所述源極和漏極設置在所述半導體層上，所述薄膜晶體管還包括歐姆接觸層，設置在所述半導體層和所述源極和漏極之間，并且在所述歐姆接觸層上設置第二開孔，所述第二開孔經過所述源極和漏極之間的空隙并穿透所述歐姆接觸層，并露出所述半導體層，所述第二絕緣層通過所述第二開孔與所述半導體層連接。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和漏極設置在所述第一絕緣層上，所述半導體層設置在所述源極和漏極上，所述薄膜晶體管還包括歐姆接觸層，設置在所述半導體層和所述源極和漏極之間，并且在所述歐姆接觸層上設置第二開孔，所述第二開孔穿透所述歐姆接觸層并經過所述源極和漏極之間的空隙，并露出所述第一絕緣層，所述半導體層通過所述第二開孔與所述第一絕緣層連接。

6.一種陣列基板，所述陣列基板包括基板和設置在所述基板上的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵極，設置在所述基板的表面上；

第一絕緣層，設置在所述柵極上；

第二絕緣層，設置在所述源極和漏極上；

半導體層、源極和漏極，設置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間；

導電層，設置在所述第二絕緣層上，并與所述柵極相互導通，使得所述薄膜晶體管在打開狀態時，增大形成在所述半導體層的導電溝道中的開態電流，在關閉狀態時，減小所述導電溝道中的關態電流。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在所述柵極的上方設置第一開孔，所述第一開孔穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，并露出所述柵極，所述導電層通過所述第一開孔與所述柵極連接。

8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層為ITO膜或金屬層。

9.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層設置在所述第一絕緣層上，所述源極和漏極設置在所述半導體層上，所述薄膜晶體管還包括歐姆接觸層，設置在所述半導體層和所述源極和漏極之間，并且在所述歐姆接觸層上設置第二開孔，所述第二開孔經過所述源極和漏極之間的空隙并穿透所述歐姆接觸層，并露出所述半導體層，所述第二絕緣層通過所述第二開孔與所述半導體層連接。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括相對設置的陣列基板和彩膜基板，其中，所述陣列基板為如權利要求6-9所述的陣列基板。