[發明專利]一種反熔絲結構有效
| 申請號： | 201310410836.4 | 申請日： | 2013-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN104425448B | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩;馮軍宏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反熔絲 結構 | ||
1.一種反熔絲結構，包括：
NMOS晶體管，所述NMOS晶體管中邊緣處的溝道長度大于中心處的溝道長度；
編程晶體管，所述NMOS晶體管中的源區與所述編程晶體管相連，所述NMOS晶體管中的漏區與編程電源相連；
所述NMOS晶體管包括整體呈啞鈴狀的柵極結構，以使所述反熔絲結構得到一致的熔斷狀態。
2.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述NMOS晶體管的柵極和體區浮置。
3.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述NMOS晶體管的柵極和源區連接到所述編程晶體管，所述NMOS晶體管的體區浮置。
4.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述NMOS晶體管的柵極、源區和體區連接到所述編程晶體管。
5.根據權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述NMOS晶體管包括：
半導體襯底；
柵極結構，位于所述半導體襯底上，所述柵極結構兩端下方的溝道的長度大于中間的溝道的長度；
源區和漏區位于所述柵極結構的兩側，所述源區與編程晶體管相連，所述漏區與編程電源相連，以使所述反熔絲結構得到一致的熔斷狀態。
6.根據權利要求5所述的反熔絲結構，其特征在于，所述柵極結構的兩端的關鍵尺寸大于中間的關鍵尺寸。
7.根據權利要求5所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括僅位于所述漏區內側的LDD摻雜區。
8.根據權利要求5所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括位于所述源區內側的LDD摻雜區以及位于所述漏區內側的LDD摻雜區。
9.根據權利要求5所述的反熔絲結構，其特征在于，所述半導體襯底為P型半導體襯底。
10.根據權利要求9所述的反熔絲結構，其特征在于，所述P型半導體襯底中形成有P阱，所述反熔絲結構設置于所述P阱上。
11.根據權利要求9所述的反熔絲結構，其特征在于，所述源區和所述漏區均為N型摻雜。
12.根據權利要求10所述的反熔絲結構，其特征在于，所述反熔絲結構還包括P型摻雜區，所述P型摻雜區位于所述P阱中。
13.根據權利要求12所述的反熔絲結構，其特征在于，所述P型摻雜區與所述編程晶體管相連。
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