[發明專利]太赫茲波頻譜檢測器

有效

• 申請號: 201310410510.1
• 申請日: 2013-09-11
• 公開（公告）號: CN104422517B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 孫建東;秦華;孫云飛;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G01J3/28
• 分類號: G01J3/28;H01Q1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太赫茲波頻譜檢測器，以高電子遷移率晶體管為基本結構，其特征在于：所述高電子遷移率晶體管的溝道處設有天線，以產生太赫茲電場，所述天線與高電子遷移率晶體管集成設置，且與高電子遷移率晶體管的源極和漏極完全獨立，所述的天線包括第一天線和第二天線，所述的第一天線連接于第一柵極，以調節二維電子氣濃度；所述的第二天線連接于第二柵極和第三柵極，以形成二維等離子體波諧振腔，所述的第二柵極和第三柵極分別位于所述第一柵極的兩側。

2.根據權利要求1所述的太赫茲波頻譜檢測器，其特征在于：所述的天線通過太赫茲濾波器連接于引線電極。

3.根據權利要求2所述的太赫茲波頻譜檢測器，其特征在于：所述的太赫茲濾波器為回折的金屬納米線。

4.根據權利要求1所述的太赫茲波頻譜檢測器，其特征在于：所述高電子遷移率晶體管和天線集成設置于帶二維電子氣基片的襯底外延片上。

5.根據權利要求1所述的太赫茲波頻譜檢測器，其特征在于：所述二維電子氣基片包括由上到下依次層疊的隔離層、外延層和襯底層，所述高電子遷移率場效應管的源極、漏極和柵極以及天線設置在形成于襯底外延片的有源區上，且該源極和漏極通過設置在襯底層中的二維電子氣通道連接。