[發(fā)明專利]鈣鈦礦結(jié)構(gòu)弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛?鈮鎂酸鉛?鈦酸鉛的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310410388.8 | 申請日: | 2013-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN104419984B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅豪甦;王西安;林迪;趙祥永;王升;徐海清;李曉兵;張海武;鄧昊;陳建偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | C30B29/22 | 分類號: | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司: | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,鄭優(yōu)麗 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 結(jié)構(gòu) 弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛 鈮鎂酸鉛 鈦酸鉛 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛的制備方法,其特征在于,所述鈣鈦礦結(jié)構(gòu)弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛的化學(xué)組成為(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3?-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-?xPbTiO3,其中x=0.20~0.45,y=0.15~0.70,所述制備方法包括如下步驟:
(1)首次晶體生長原料的制備:稱取In2O3、MgO、Nb2O5、鉛的氧化物和TiO2,球磨或研磨混合均勻、燒結(jié),以制得首次晶體生長原料,其中所述鉛的氧化物為PbO和/或Pb3O4,其中,所述首次晶體生長原料的Pb、In、Nb、Mg和Ti的摩爾比為1:(1-x-y)/2:((1-x-y)/2+2y/3):y/3:x;
(2)首次晶體生長:將所述首次晶體生長原料置于坩堝中,密封坩堝后入爐并進行升溫熔料、坩堝下降法晶體生長、以及晶體降至室溫,以制得首次生長的晶體;
(3)再次晶體生長原料的制備:稱取In2O3、MgO、Nb2O5、鉛的氧化物和TiO2,球磨或研磨混合均勻、燒結(jié),以制得再次晶體生長原料,其中所述再次晶體生長原料中Pb、In、Nb、Mg和Ti的摩爾比為(1±Δx):(1-x-y)/2:((1-x-y)/2+2y/3):y/3:(?x±Δx),其中Δx根據(jù)前次晶體生長參數(shù)設(shè)定;
(4)再次晶體生長:將所述再次晶體生長原料置于所述步驟(2)的坩堝中,密封坩堝后入爐進行升溫熔料、在前次生長的晶體上繼續(xù)坩堝下降法晶體生長、以及晶體降至室溫,以制得所述鈣鈦礦結(jié)構(gòu)弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述前次晶體生長參數(shù)包括前次晶體生長的生長界面的溫度梯度、前次晶體生長的熔區(qū)寬度、前次晶體生長速率、以及前次晶體生長的泡生時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,0<Δx<x,優(yōu)選為0<Δx<x/3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)和所述步驟(3)中的原料的純度大于4N。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)和所述步驟(3)中的燒結(jié)是在900~1100℃預(yù)燒4~8小時,或是壓制為塊狀后在900~1250℃預(yù)燒2~12小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中的坩堝的形狀是圓錐、圓柱、四方及其他異形;所述坩堝采用多層或單層坩堝。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中的晶體生長采用自發(fā)結(jié)晶法,所述坩堝為圓錐形鉑金坩堝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中的晶體生長采用籽晶誘導(dǎo)生長,所述坩堝為圓柱型鉑金坩堝,所述籽晶為<001>、<110>、或<111>取向籽晶。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)和所述步驟(4)中的升溫熔料是從室溫升至1250~1500℃并保溫2~20小時進行熔料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(2)和所述步驟(4)的坩堝下降法晶體生長中,沿坩堝下降方向的最大溫度梯度為50~70℃/cm,下降速率為0.1~1.5mm/h。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的制備方法,其特征在于,重復(fù)步驟(3)到(4)兩次以上。
12.一種由權(quán)利要求1至11中任一項所述的制備方法制備的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)弛豫鐵電單晶鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛,其特征在于,所述單晶的晶體尺寸直徑大于3英寸,長度為200~260mm,純?nèi)较噔}鈦礦結(jié)構(gòu)區(qū)域占80%以上,處于準(zhǔn)同型相界附近。
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