[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310410073.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103681667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 外村文男;石井秀雄;太田毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L27/02;H01L21/822
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

芯片，所述芯片包括形成在第一區(qū)域中的第一MOSFET以及形成在第二區(qū)域中的第二MOSFET；

所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的公共漏電極，所述公共漏電極形成在所述芯片的背表面上；

所述第一MOSFET的第一源極端子和第一柵極端子，所述第一源極端子和所述第一柵極端子形成在所述第一區(qū)域中的所述芯片的表面上；

所述第二MOSFET的第二源極端子和第二柵極端子，所述第二源極端子和所述第二柵極端子形成在所述第二區(qū)域中的所述芯片的表面處，且被布置為在基本上平行于所述第一源極端子和所述第一柵極端子對(duì)齊的方向上對(duì)齊；

二極管，所述二極管被布置在所述第一源極端子和所述第二源極端子之間；以及

所述二極管的第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子被布置為在基本上平行于所述第一源極端子和所述第一柵極端子對(duì)齊的方向的第一方向上或在基本上與其垂直的第二方向上對(duì)齊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，當(dāng)所述第一端子和所述第二端子對(duì)齊的方向是所述第一方向時(shí)，

所述第一端子和所述第二端子形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述二極管形成在所述第一端子的下部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述二極管被形成為分成所述第一端子的下部和所述第二端子的下部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一源極端子和所述第二源極端子被布置為彼此面對(duì)，同時(shí)將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界夾在中間，

其中，所述第一柵極端子和所述第二柵極端子被布置為彼此面對(duì)，同時(shí)將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界夾在中間，

其中，所述第一端子形成在所述第一源極端子和所述第二源極端子之間，并且

其中，所述第二端子形成在所述第一柵極端子和所述第二柵極端子之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一源極端子和所述第一端子之間的距離與所述第二源極端子和所述第一端子之間的距離基本上彼此相等，并且

其中，所述第一柵極端子和所述第二端子之間的距離與所述第二柵極端子和所述第二端子之間的距離基本上彼此相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一源極端子和所述第一柵極端子之間的距離、所述第二源極端子和所述第二柵極端子之間的距離以及所述第一端子和所述第二端子之間的距離基本上彼此相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括與所述二極管并聯(lián)且在與其相反的方向上耦合的保護(hù)二極管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述二極管形成在所述第一端子的下部，并且

其中，所述保護(hù)二極管形成在所述第二端子的下部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，當(dāng)所述第一端子和所述第二端子對(duì)齊時(shí)的方向是所述第二方向時(shí)，

所述二極管形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，并且

所述第一端子形成在所述第一區(qū)域上方，且所述第二端子形成在所述第二區(qū)域上方。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一端子被布置為夾在所述第一源極端子和所述第一柵極端子之間，并且

其中，所述第二端子被布置為夾在所述第二源極端子和所述第二柵極端子之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一源極端子和所述第二柵極端子被布置為彼此面對(duì)，同時(shí)將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界夾在中間，

其中，所述第一柵極端子和所述第二源極端子被布置為彼此面對(duì)，同時(shí)將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界夾在中間，并且

其中，所述二極管被布置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述二極管以所述第一端子作為中心被同心地構(gòu)造。