[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

在審

• 申請號: 201310409844.7
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN104425758A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 劉振宇;盧宏杰;林熙干
• 申請（專利權）人: 宸鴻光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙

1.一種有機發光二極管顯示器，其特征在于，包含：

一陽極層；

一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；

一有機發光層，設置在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發光層包含多個原色區域以及多個混色區域；以及

一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發光層之間或所述有機發光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區域產生光線。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：所述有機發光二極管顯示器更包括：

一上基板與一下基板，所述陰極層與所述陽極層間隔設置在所述上基板與所述下基板之間。

3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：所述陽極層為光反射型且所述陰極層為光穿透型，所述有機發光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述上基板射出。

4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：所述光反射型的陽極層為厚度范圍在150nm～200nm的鋁層或厚度范圍在100nm～150nm的金層，所述光穿透型的陰極層為厚度范圍在0.1nm～20nm的鋁層或厚度范圍在0.1nm～20nm的銀層或厚度范圍在20nm～100nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層。

5.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：所述陽極層為光穿透型且所述陰極層為光反射型，所述有機發光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述下基板射出。

6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：所述光穿透型的陽極層為厚度范圍在50nm～300nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層，所述光反射型的陰極層為厚度范圍在150um～200um的鋁層。

7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其特征在于：

所述絕緣層的形成材料為光刻膠或二氧化硅。

8.一種制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于，包含：

設置一陽極層；

設置一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；

設置一有機發光層在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發光層包含多個原色區域以及多個混色區域；以及

設置一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發光層之間或所述有機發光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區域產生光線。

9.根據權利要求8所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于：更包括提供一上基板與一下基板，其中所述陰極層與所述陽極層是設置在所述上基板與所述下基板之間。

10.根據權利要求9所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于：

所述陽極層為光反射型且所述陰極層為光穿透型，所述有機發光二極管

顯示器的一光線射出方向是往所述上基板射出。

11.根據權利要求9所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于：

所述陽極層為光穿透型且所述陰極層為光反射型，所述有機發光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述下基板射出。

12.根據權利要求8所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于：所述絕緣圖案的形成材料為光刻膠或二氧化硅。

13.根據權利要求8所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于形成所述絕緣圖案的步驟包含：

涂布一光刻膠層；以及

通過光刻與刻蝕工藝圖案化所述光刻膠層，以形成所述絕緣圖案。

14.根據權利要求8所述的制作有機發光二極管顯示器的方法，其特征在于形成所述絕緣圖案的步驟包含：

蒸鍍或濺射二氧化硅以形成所述絕緣圖案。