[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201310409759.0 | 申請日: | 2013-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN104425545B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 林信宏;周政旭 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/423;H01L23/544;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 賈磊 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括一基板、多個第一薄膜晶體管、多個連接該第一薄膜晶體管的掃描線與數據線、及多個用以控制檢測用顯示信號的供應的第二薄膜晶體管,各個第二薄膜晶體管包含:
一第一柵極電極,形成于該基板上;
一第一絕緣層,形成于該第一柵極電極上;
一主動單元,形成于該第一絕緣層上,且該主動單元包含一源極電極、一主動層及一漏極電極;其中,該源極電極電性連接該數據線的其中一條,且該主動層包含一氧化物半導體材料;
一第二絕緣層,形成于該主動單元上;
一第二柵極電極,形成于該第二絕緣層上;以及
一第三絕緣層,形成于該主動層上,并具有彼此隔開的一第一開口及一第二開口,且該源極電極與該漏極電極分別填滿該第一開口與該第二開口;
其中,該第一薄膜晶體管、該掃描線及該數據線設置于該基板上用以顯示影像的一顯示區內,且該第二薄膜晶體管設置于該基板上該顯示區以外的一第一區域內。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該第二柵極電極電性連接該第一柵極電極。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該第二柵極電極電性連接一檢測用柵極電極。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,部分的該第二薄膜晶體管的該第一柵極電極彼此電性連接。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,部分的該第二薄膜晶體管的該漏極電極彼此電性連接。
6.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該源極電極與該漏極電極形成于該主動層上。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該氧化物半導體材料選自氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵、氧化鋅、及氧化錫的其中之一。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括一基板、多個第一薄膜晶體管、多個連接該第一薄膜晶體管的掃描線與數據線、及多個用以控制檢測用顯示信號的供應的第二薄膜晶體管,各個第二薄膜晶體管包含:
一第一柵極電極,形成于該基板上;
一第一絕緣層,形成于該第一柵極電極上;
一主動單元,形成于該第一絕緣層上,且該主動單元包含一源極電極、一主動層、及一漏極電極;其中,該源極電極電性連接該數據線及該掃描線的其中一條,使得第二薄膜晶體管連接該數據線或該掃描線,且該主動層包含一氧化物半導體材料;
一第二絕緣層,形成于該主動單元上;
一第二柵極電極,形成于該第二絕緣層上;以及
一第三絕緣層,形成于該主動層上,并具有彼此隔開的一第一開口及一第二開口,且該源極電極與該漏極電極分別填滿該第一開口與該第二開口;
其中,該第一薄膜晶體管、該掃描線及該數據線設置于該基板上用以顯示影像的一顯示區內,連接該數據線的第二薄膜晶體管設置于該基板上的一第一區域內,連接該掃描線的第二薄膜晶體管設置于該基板上的一第二區域內,且該顯示區、該第一區域、與該第二區域彼此不重迭。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括一基板、多個第一薄膜晶體管、多個連接該第一薄膜晶體管的掃描線與數據線、及多個用以控制檢測用顯示信號的供應的第二薄膜晶體管,各個第二薄膜晶體管包含:
一第一柵極電極,形成于該基板上;
一第一絕緣層,形成于該第一柵極電極上;
一主動單元,形成于該第一絕緣層上,且該主動單元包含一源極電極、一主動層及一漏極電極;其中,該源極電極電性連接該數據線的其中一條,且該主動層包含一氧化物半導體材料,并且該主動單元具有一間隔區域,形成于該源極電極與該漏極電極之間,以隔開該源極電極與該漏極電極,且該主動層形成于該源極電極與該漏極電極上,并填滿該間隔區域;
一第二絕緣層,形成于該主動單元上;以及
一第二柵極電極,形成于該第二絕緣層上;
其中,該第一薄膜晶體管、該掃描線及該數據線設置于該基板上用以顯示影像的一顯示區內,且該第二薄膜晶體管設置于該基板上該顯示區以外的一第一區域內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





