[發明專利]半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201310409729.X | 申請日： | 2013-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN103681862A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 張明;吉久康樹 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 李蘭;孫志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底具有主表面；
第一導電類型第一區，所述第一導電類型第一區形成在所述半導體襯底中；
第二導電類型第二區，所述第二導電類型第二區形成在所述半導體襯底中并在所述主表面側上的所述第一區上方；
第二導電類型第三區，所述第二導電類型第三區形成在所述半導體襯底中并在所述主表面側上的所述第二區上方；
第一導電類型第四區，所述第一導電類型第四區形成在所述半導體襯底中以與所述第三區相鄰并與其在所述主表面側上的所述第二區上方構成pn結；
第一導電類型掩埋區，所述第一導電類型掩埋區形成在所述第一區和所述第二區之間的所述半導體襯底中，并具有高于所述第一區的第一導電類型雜質濃度；
隔離溝槽，所述隔離溝槽延伸以圍繞包括了所述第三區的元件區的外圍并從所述主表面到達所述掩埋區；以及
第二導電類型溝槽側壁高濃度區，所述第二導電類型溝槽側壁高濃度區形成在所述元件區側上的所述隔離溝槽的側壁的至少一部分上方，
其中，所述溝槽側壁高濃度區中的第二導電類型雜質濃度高于所述第二區中的第二導電類型雜質濃度，并且
其中，所述溝槽側壁高濃度區沿所述側壁延伸到達所述掩埋區。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述第一導電類型是p型且所述第二導電類型是n型。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述溝槽側壁高濃度區中的第二導電類型雜質濃度低于所述掩埋區中的第一導電類型雜質濃度。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述隔離溝槽從所述主表面延伸以至少貫穿所述掩埋區。
5.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：
提供具有主表面的半導體襯底和第一導電類型第一區；
在所述半導體襯底中以及所述主表面側上的所述第一區上方形成第一導電類型掩埋區，所述第一導電類型掩埋區具有高于所述第一區的第一導電類型雜質濃度；
在所述半導體襯底中以及所述主表面側上的所述第一區和所述掩埋區上方形成第二導電類型第二區；
在所述半導體襯底中以及所述主表面側上的所述第二區上方形成第二導電類型第三區；
形成隔離溝槽，使得所述隔離溝槽延伸以圍繞包括所述第三區的元件區的外圍并從所述主表面到達所述掩埋區；
在所述元件區側上的所述隔離溝槽的側壁的至少一部分上方形成第二導電類型溝槽側壁高濃度區；以及
在所述半導體襯底中形成第一導電類型第四區以與所述第三區相鄰并與其在所述主表面側上的所述第二區上方構成pn結，
其中，所述溝槽側壁高濃度區中的第二導電類型雜質濃度高于所述第二區中的第二導電類型雜質濃度，并且
其中，所述溝槽側壁高濃度區沿所述側壁延伸到達所述掩埋區。
6.根據權利要求5所述的制造半導體器件的方法，
其中，在形成所述溝槽側壁高濃度區的步驟中，所述第二導電類型雜質是從相對于所述側壁的傾斜方向離子注入的。
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