[發明專利]發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體

在審

• 申請號: 201310409582.4
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN104418590A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 張崇泰;張家豪
• 申請（專利權）人: 張崇泰;張家豪
• 主分類號: C04B35/00
• 分類號: C04B35/00;C01B13/00
• 代理公司: 北京慧泉知識產權代理有限公司 11232
• 代理人: 王順榮;唐愛華

1.一種發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該陶瓷半導體于成型時摻加有可增強空間電荷效應的氧化物材料，且該陶瓷半導體具有一個以上貫穿的通孔；由此，該陶瓷半導體通電后產生電流及熱，造成該陶瓷半導體外層電子脫離并留在通孔，且在通孔累積形成電子云，空氣經過通孔后，空氣中的氧與電子沖撞后結合，形成超氧根離子，使該陶瓷半導體可釋出超氧根離子。

2.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該可增強空間電荷效應的氧化物材料為二氧化鈦(TiO₂)。

3.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該可增強空間電荷效應的氧化物材料為氧化鋅(ZnO)。

4.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該可增強空間電荷效應的氧化物材料為三氧化鎢(WO₃)。

5.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該可增強空間電荷效應的氧化物材料為三氧化二鐵(Fe₂O₃)。

6.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該可增強空間電荷效應的氧化物材料為鈦酸鍶(SrTiO₃)。

7.根據權利要求1所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該通孔的孔徑為Φ1mm-2mm。

8.根據權利要求1-7所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該陶瓷半導體的外側設置一風扇，該風扇的風是吹向該陶瓷半導體的通孔。

9.根據權利要求1-7所述的發熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導體，其特征在于：該陶瓷半導體受一驅動機構驅動而走移。