[發(fā)明專利]發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310409582.4 | 申請日： | 2013-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN104418590A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張崇泰;張家豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 張崇泰;張家豪 |
| 主分類號： | C04B35/00 | 分類號： | C04B35/00;C01B13/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11232 | 代理人： | 王順榮;唐愛華 |
| 地址： | 中國臺灣臺南市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)熱 可增加 外圍 超氧根 離子 濃度 陶瓷 半導(dǎo)體 | ||
1.一種發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該陶瓷半導(dǎo)體于成型時摻加有可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料，且該陶瓷半導(dǎo)體具有一個以上貫穿的通孔；由此，該陶瓷半導(dǎo)體通電后產(chǎn)生電流及熱，造成該陶瓷半導(dǎo)體外層電子脫離并留在通孔，且在通孔累積形成電子云，空氣經(jīng)過通孔后，空氣中的氧與電子沖撞后結(jié)合，形成超氧根離子，使該陶瓷半導(dǎo)體可釋出超氧根離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為二氧化鈦(TiO2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為氧化鋅(ZnO)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為三氧化鎢(WO3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為三氧化二鐵(Fe2O3)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該可增強空間電荷效應(yīng)的氧化物材料為鈦酸鍶(SrTiO3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該通孔的孔徑為Φ1mm-2mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該陶瓷半導(dǎo)體的外側(cè)設(shè)置一風扇，該風扇的風是吹向該陶瓷半導(dǎo)體的通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7所述的發(fā)熱后可增加外圍超氧根離子濃度之陶瓷半導(dǎo)體，其特征在于：該陶瓷半導(dǎo)體受一驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動而走移。
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