[發(fā)明專利]多端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310409425.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-10
• 公開（公告）號(hào): CN104282692B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖忠志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路，包括位于其上的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，所述集成電路包括：

第一有源鰭區(qū)和第二有源鰭區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型并且相互分隔開；

第三有源鰭區(qū)，具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型；

柵極介電層，設(shè)置在所述第一有源鰭區(qū)和所述第二有源鰭區(qū)上方；以及

第一柵電極和第二柵電極，分別設(shè)置在所述第一有源鰭區(qū)和所述第二有源鰭區(qū)上方，并且設(shè)置在所述柵極介電層上方，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極相互電連接在一起并且通過所述柵極介電層與所述第一有源鰭區(qū)和所述第二有源鰭區(qū)分隔開；

第三柵電極，設(shè)置在所述第三有源鰭區(qū)上方以及所述柵極介電層上方，其中，所述第三柵電極通過所述柵極介電層與所述第三有源鰭區(qū)電分隔開，

其中，所述第一柵電極由具有第一功函數(shù)的第一金屬制成，并且所述第二柵電極由具有與所述第一功函數(shù)不同的第二功函數(shù)的第二金屬制成，并且所述第三柵電極由具有第三功函數(shù)的與所述第一金屬和所述第二金屬不同的第三金屬制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述柵極介電層為高K電介質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第一金屬和所述第二金屬為難熔金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極物理地連接在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極相互之間朝著彼此直線延伸并且在界面處相互鄰接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第一柵電極的第一金屬使得與所述第一有源鰭區(qū)相對(duì)應(yīng)的第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有第一閾值電壓，并且所述第二柵電極的第二金屬使得與所述第二有源鰭區(qū)相對(duì)應(yīng)的第二鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有第二閾值電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，所述第一閾值電壓高于所述第二閾值電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，所述第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單元的寫入端口相對(duì)應(yīng)，并且所述第二鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的讀取端口相對(duì)應(yīng)。

9.一種集成電路，包括：

第一有源鰭區(qū)、第二有源鰭區(qū)和第三有源鰭區(qū)，相互分隔開，其中，分別具有第一金屬柵電極和第二金屬柵電極的第一n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別形成在所述第一有源鰭區(qū)和所述第二有源鰭區(qū)上，并且具有第三金屬柵電極的第三p型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成在所述第三有源鰭區(qū)上，所述第一金屬柵電極、所述第二金屬柵電極以及所述第三金屬柵電極連接；以及

介電層，位于所述第一有源鰭區(qū)、所述第二有源鰭區(qū)和所述第三有源鰭區(qū)上方，并且所述介電層將所述第一有源鰭區(qū)、所述第二有源鰭區(qū)和所述第三有源鰭區(qū)分別與所述第一金屬柵電極、所述第二金屬柵電極和所述第三金屬柵電極分隔開；

其中，所述第一金屬柵電極、所述第二金屬柵電極和所述第三金屬柵電極分別由第一金屬、第二金屬和第三金屬制成，每種金屬具有相互不同的功函數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述介電層是針對(duì)所述第一n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管、所述第二n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第三p型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高K電介質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述第一金屬、所述第二金屬和所述第三金屬為難熔金屬。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述第一n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單元的寫入端口相對(duì)應(yīng)，并且所述第二n型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的讀取端口相對(duì)應(yīng)。