[發(fā)明專(zhuān)利]低損耗大有效面積單模光纖及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310409008.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103472525A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉;李詩(shī)愈;莫琦;羅文勇;杜城;柯一禮;雷瓊;但融;張濤;胡福明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 烽火通信科技股份有限公司;武漢烽火銳光科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B6/02
• 分類(lèi)號(hào): G02B6/02;G02B6/036;G02B6/028;C03B37/018;C03B37/025
• 代理公司: 北京捷誠(chéng)信通專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 11221
• 代理人: 魏殿紳;龐炳良

1.一種低損耗大有效面積單模光纖，包括由內(nèi)至外依次排列的石英玻璃包層（b）、內(nèi)涂層（f₁）和外涂層（f₂），其特征在于：所述石英玻璃包層（b）內(nèi)部還包括由內(nèi)至外依次排列的第一纖芯區(qū)域（a₁）、第二纖芯區(qū)域（a₂）、第三纖芯區(qū)域（a₃）、第四纖芯區(qū)域（a₄）和折射率下凹包層，第一纖芯區(qū)域（a₁）的半徑為r₁，第二纖芯區(qū)域（a₂）的半徑為r₂，第三纖芯區(qū)域（a₃）的半徑為r₃，第四纖芯區(qū)域（a₄）的半徑為r₄，折射率下凹包層內(nèi)邊緣（b₁）到第一纖芯區(qū)域（a₁）中心的距離為r₅，折射率下凹包層外邊緣（b₂）到第一纖芯區(qū)域（a₁）中心的距離為r₆，折射率下凹包層采用等離子化學(xué)氣相沉積PCVD工藝進(jìn)行沉積，石英玻璃包層（b）采用外部氣相沉積OVD工藝或套管工藝制造，其中：

第一纖芯區(qū)域（a₁）與石英玻璃包層（b）的相對(duì)折射率差Δ₁(r)隨纖芯半徑r的變化滿足“Δ₁(r)=c₁”關(guān)系曲線：0≤r≤r₁，1.0μm≤r₁≤2.0μm，c₁為常數(shù)，0.07%≤c₁≤0.15%；

第二纖芯區(qū)域（a₂）與石英玻璃包層（b）的相對(duì)折射率差Δ₂(r)隨纖芯半徑r的變化滿足“Δ₂(r)=A×ln(r)+c₂”關(guān)系曲線：r₁≤r≤r₂，3.0μm≤r₂≤3.9μm，A、c₂均為常數(shù)，0.0019≤A≤0.0025，-0.00001≤c₂≤-0.00010；

第三纖芯區(qū)域（a₃）與石英玻璃包層（b）的相對(duì)折射率差Δ₃(r)隨纖芯半徑r的變化滿足“Δ₃(r)=c₃”關(guān)系曲線：r₂≤r≤r₃，2.5μm≤r₃≤5.0μm，c₃為常數(shù)，0.18%≤c₃≤0.32%；

第四纖芯區(qū)域（a₄）與石英玻璃包層（b）的相對(duì)折射率差Δ₄(r)隨纖芯半徑r的變化滿足“Δ₄(r)=B×r²+C×r+c₄”關(guān)系曲線：r₃≤r≤r₄，5.0μm≤r₄≤6.5μm，B、C、c₄均為常數(shù)，-0.0010≤B≤-0.00075，0.0071≤C≤0.0088，-0.0175≤c₄≤-0.0144；

該光纖的折射率下凹包層內(nèi)邊緣（b₁）到第一纖芯區(qū)域（a₁）中心的距離r₅與第四纖芯區(qū)域（a₄）的半徑r₄的關(guān)系為：3.0μm≤r₅-r₄≤6.2μm，該折射率下凹包層的厚度滿足5.0μm≤r₆-r₅≤11.2μm，該折射率下凹包層的相對(duì)折射率差曲線滿足Δ_b(r)=k×r+t曲線關(guān)系：k、t均為常數(shù)，k＝5×10^-6，-9.46×10^-3≤_t≤-2.70×10^-3。

2.如權(quán)利要求1所述的低損耗大有效面積單模光纖，其特征在于：所述光纖在1310nm波長(zhǎng)的損耗系數(shù)≤0.289dB/km，1383nm波長(zhǎng)的損耗系數(shù)≤0.276dB/km，1550nm波長(zhǎng)的損耗系數(shù)≤0.175dB/km，1625nm波長(zhǎng)的損耗系數(shù)≤0.187dB/km。