[發明專利]一種50μm超薄芯片生產方法

有效

• 申請號: 201310408770.5
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN103515316A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 劉定斌;徐冬梅;慕蔚;李習周;王永忠;郭小偉
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 李琪

1.?一種50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，該生產方法具體按以下步驟進行：

步驟1：晶圓正面貼膜、切膜

在晶圓圖形表面貼覆膠膜；然后切膜，切膜時根據晶圓定位邊形狀，設置對應的刀片運行軌跡參數和切膜速度，確保切膜刀片的運行軌跡隨膠膜定位邊而發生變化；切膜刀在接觸晶圓邊緣時的下刀速度為10～30mm/sec，切膜時，切膜刀與晶圓平面之間的夾角為65°～90°；

步驟2：減薄

采用具備12吋尺寸超薄晶圓減薄能力的全自動減薄機，先自動上料、定位，而后進行減薄：?

粗磨范圍：從原始晶圓厚度＋膠質層厚度+膠膜保護層厚度到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋60μm，軸向進給速度100～500μm/min，減薄輪轉速2000rpm～2400rpm；

精磨范圍：從最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋60μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋25μm；

拋光范圍：從最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度＋25μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋10μm；

腐蝕范圍：從最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度＋10μm到最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度，腐蝕速度1μm/sec；腐蝕后進行清洗；

步驟3：減薄后的晶圓背面繃膜

對于芯片尺寸大于等于2.0mm×2.0mm的晶圓，用普通劃片膠膜，先在減薄后的晶圓背面自動繃膜貼片，然后揭去晶圓正面膠膜，自動上下料；

對于芯片尺寸小于2.0mm×2.0mm的晶圓，選用UV膠膜，先在減薄后的晶圓背面自動繃膜貼片，然后揭去正面膠膜，自動下料；

步驟4：劃片

在8吋及其以上尺寸超薄晶圓全自動劃片機上采用雙軸劃片技術的階梯模式和防裂片劃片工藝進行劃片，完成50μm超薄芯片的生產。

2.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟1中在晶圓圖形表面貼覆的膠膜采用半導體專用UV膠膜。

3.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟1中，當一片切膜刀切割膠膜的數量達到1000pcs時，更換切膜刀。

4.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟2中，粗磨時，采用粒度325#～600#?的金剛石研磨輪；精磨時，采用粒度2000#～4000#的金剛石研磨輪。

5.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟2的精磨過程中，研磨輪采用不同的速度段進給：從最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋60μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋40μm，進給速度0.7μm/sec；從最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋40μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋30μm，進給速度0.5μm/sec；從最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋30μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋25μm，進給速度0.2μm/sec。

6.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟2的拋光過程中，從最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度＋25μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋18μm，轉速為210rpm；從最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度＋18μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度＋13μm，轉速為160rpm；從最終晶圓厚度＋膠膜層厚度＋膠膜保護層厚度＋13μm到最終晶圓厚度＋膠質層厚度＋膠膜保護層厚度h2＋10μm?，轉速為120rpm。

7.?根據權利要求1所述50μm超薄芯片生產方法，其特征在于，所述步驟3中，晶圓背面繃膜貼片后，晶圓與膠膜間無氣泡、雜質、皺褶；膠膜與繃膜環接觸良好，膠膜邊緣無起皮現象；膠膜邊緣平整，無膠膜絲、膠膜屑；繃膜環邊緣的膠膜尺寸一致，無移位現象；所貼晶圓確保在膠膜正中央；?晶圓定位邊與繃膜環的定位邊要對應。