[發明專利]用于非晶硅沉積的爐管底座有效

申請號：	201310407964.3	申請日：	2013-09-09
公開（公告）號：	CN104419908B	公開（公告）日：	2017-02-08
發明（設計）人：	沈建飛;陳騰宏	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	C23C16/24	分類號：	C23C16/24
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237	代理人：	屈蘅,李時云
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于非晶硅沉積爐管底座
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【權利要求書】：

1.一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括從下依次往上疊加設置的密封蓋、磁流體、基座支架以及基座，所述磁流體連接密封蓋與基座支架，所述基座支架與基座連接，其特征在于，還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側面，所述固定塊位于基座內，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化硅材質。

2.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板和固定塊通過固定螺絲與基座固定。

3.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板與所述基座一體成型。

4.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊與所述基座一體成型。

5.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板的直徑為20cm～30cm。

6.如權利要求5所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板的厚度為2.0cm～5.5cm。

7.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊的直徑為10cm～25cm。

8.如權利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊的厚度為2cm～5cm。

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