[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310407724.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104425345B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成第一介質(zhì)層和硬掩膜層；

依次刻蝕所述硬掩膜層、第一介質(zhì)層以及半導(dǎo)體襯底，形成淺溝槽隔離區(qū)，所述半導(dǎo)體襯底在所述淺溝槽隔離區(qū)處存在拐角；

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底在淺溝槽隔離區(qū)處的拐角進(jìn)行回刻蝕；

在所述淺溝槽隔離區(qū)內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層暴露出所述拐角；

對(duì)所述拐角進(jìn)行離子注入處理，以降低所述拐角處的應(yīng)力，所述離子注入處理使用的離子束與水平線呈預(yù)定夾角；

在所述第二介質(zhì)層表面形成第三介質(zhì)層。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理使用的離子束包括銻離子、碳離子和氮離子。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理使用的離子束包括C2B10H12和氧離子。

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理使用的離子束包括BF2離子、碳離子和氮離子。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理的離子能量范圍是3KeV～30KeV。

6.如權(quán)利要求5所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理的離子劑量范圍是1e15/cm2～1e16/cm2。

7.如權(quán)利要求6所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入處理的離子束與水平線呈預(yù)定夾角的范圍是10°～35°。

8.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材質(zhì)為二氧化硅，厚度范圍是100埃～400埃。

9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質(zhì)為氮化硅，厚度范圍是400埃～800埃。

10.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層與所述第三介質(zhì)層的材質(zhì)均為二氧化硅。