[發明專利]半導體器件的制備方法在審
| 申請號： | 201310407704.6 | 申請日： | 2013-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN104425239A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 張冠軍;方三軍;朱瑜杰;徐萍;陳思安 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件的制備方法，包括：
提供基底，所述基底上具有一柵極層；
對所述柵極層進行離子注入工藝，以形成摻雜柵極層；
在所述摻雜柵極層上制備一保護層；
進行熱退火工藝；
去除所述保護層，以露出所述摻雜柵極層。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述保護層步驟之后，還包括：選擇性去除所述摻雜柵極層。
3.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述保護層步驟和選擇性去除所述摻雜柵極層之間，還包括：在所述摻雜柵極層上制備一抗反射層。
4.如權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，通過高溫氧化物沉積技術在所述摻雜柵極層上制備一抗反射層。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或有機物中的一種或幾種的組合。
6.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚度為5nm～1μm。
7.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述保護層。
8.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述熱退火工藝為快速熱退火工藝，所述快速熱退火工藝的溫度為800℃～1400℃。
9.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述離子注入工藝的注入元素為磷元素。
10.如權利要求1-4中任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述柵極層的材料為多晶硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
