[發明專利]半導體裝置與其制造方法

在審

• 申請號: 201310407501.7
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN104051500A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 藍國毓
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體裝置，其特征在于其包括：

溝渠，形成于半導體基板中；以及

絕緣結構，形成于該溝渠中，該絕緣結構包括：

覆蓋氧化層；及

基底氧化層；

其中該基底氧化層容納該覆蓋氧化層，且該絕緣結構的頂面為平面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于其中該絕緣結構的頂面位于第一深度，該絕緣結構的底面位于第二深度，該絕緣結構在該第一深度的氮含量少于1x10²⁰原子/cm³。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于其中該絕緣結構的頂面位于第一深度，該絕緣結構在該第一深度的氮含量介于5x10¹⁹至1x10²⁰原子/cm³的范圍。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于其中該絕緣結構的底面位于第二深度，該絕緣結構在該第二深度的氮含量介于1x10²¹至4x10²¹原子/cm³的范圍。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于其中

該絕緣結構是以一頂面、兩側面與一底面所定義；

該基底氧化層是以兩基底側面、一基底頂面與一基底底面所定義；

該覆蓋氧化層是以一覆蓋頂面與一覆蓋底面所定義，且該覆蓋氧化層形成于該基底氧化層的凹部內；及

該絕緣結構的頂面包括該覆蓋頂面與至少一部分的該基底頂面。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于其中

該絕緣結構的頂面位于第一深度，該絕緣結構的底面位于第二深度,且該基底氧化層的凹部的波谷位于第三深度，該絕緣結構在該第一深度與該第三深度之間的氮含量介于1x10²⁰至1x10²¹原子/cm³的范圍；及

該絕緣結構的氮含量從該第三深度至該第二深度，隨著深度而逐漸增加。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于其中該基底頂面還包括兩平坦部，該兩平坦部自該基底氧化層的凹部延伸，且該絕緣結構的頂面包括該兩平坦部。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于其中

該絕緣結構的頂面位于一第一深度,該絕緣結構的底面位于第二深度,且該基底氧化層的凹部的波谷位于第三深度，該絕緣結構在該第一深度與該第三深度之間的氮含量介于5x10¹⁹至1x10²⁰原子/cm³的范圍；及

該絕緣結構的氮含量從該第三深度至該第二深度，自1x10²⁰至1x10²¹原子/cm³的范圍增加至1x10²¹至4x10²¹原子/cm³的范圍。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于其中該基底氧化層的頂部的濕蝕刻速率與該覆蓋氧化層的濕蝕刻速率相同。

10.一種半導體裝置，其特征在于其包括：

溝渠，形成于半導體基板中；以及

絕緣結構，形成于該溝渠中，該絕緣結構是以一頂面、兩側面與一底面所定義；

其中該絕緣結構的頂面位于第一深度，該絕緣結構的底面位于第二深度，一第三深度被定義為介于該第一深度與該第二深度之間，且該絕緣結構在該第一深度與該第三深度之間的氮含量介于5x10¹⁹至1x10²⁰原子/cm³的范圍，該絕緣結構的氮含量從該第三深度至該第二深度，隨著深度而逐漸增加。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于其中該絕緣結構的氮含量從該第三深度至該第二深度，自1x10²⁰至1x10²¹原子/cm³的范圍增加至1x10²¹至4x10²¹原子/cm³的范圍。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于其中該絕緣結構的頂面為平面。