[發明專利]利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法有效
| 申請號： | 201310407479.6 | 申請日： | 2013-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN103489968A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 馮向旭;張寧;劉乃鑫;付丙磊;朱紹歆;張連;魏同波;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 alingan 制作 氮化 外延 薄膜 方法 | ||
1.一種利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，包括以下步驟：
步驟1：取一外延襯底；
步驟2：在外延襯底上外延一致密薄層，該致密薄層作為后續氮化鎵外延的成核層；
步驟3：暫停生長，使致密薄層發生分解，得到疏松薄層；
步驟4：在疏松薄層上，外延氮化鎵薄膜。
2.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中外延襯底的材料為藍寶石、硅或碳化硅，該外延襯底為平面襯底。
3.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中所述的外延方法為金屬有機化合物氣相外延。
4.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中致密薄層的材料為AlInGaN，厚度為5-100nm。
5.根據權利要求4所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中致密薄層的外延溫度為600-1000℃。
6.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中暫停生長時保持氮氣通入，暫停生長時的時間為1-30秒。
7.根據權利要求6所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中暫停生長時的溫度停留在外延致密薄層時的生長溫度。
8.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中氮化鎵薄膜外延生長溫度大于1000度。
9.根據權利要求1所述的利用AlInGaN制作氮化鎵外延薄膜的方法，其中疏松薄層的材料為AlGaN。
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