[發(fā)明專利]CIGS基或CZTS基薄膜太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310407360.9
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN103811571A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸鐘九;趙素惠;宋奉根;李昇勇;樸甫仁;樸瀅浩
• 申請（專利權(quán)）人: 韓國科學技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;馮敏

1.一種用于制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜，所述預處理薄膜包括順序地堆疊的基板、鉬背電極層、銅薄膜、以及光吸收粉末層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜，其中，光吸收粉末層具有Cu_xIn_yGa_1-y(S_zSe_1-z)₂或Cu_(2-p)Zn_(2-q)Sn_q(S_rSe_(1-r))₄的組分，并且通過非真空型工藝涂覆，包括刮刀涂布工藝、絲網(wǎng)印刷工藝、旋轉(zhuǎn)涂布工藝、噴涂工藝或涂裝工藝，其中，0<x<1、0<y<1、0<z<1，并且x、y和z中的每個都代表實數(shù)，其中，0<p<2、0<q<2、0<r<2，并且p、q和r中的每個都代表實數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜，其中，鉬背電極層具有0.5-5μm的厚度且銅薄膜有對應于光吸收粉末層厚度的1-10%的厚度。

4.一種制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的方法，所述方法包括下述步驟：

在基板的一個表面上形成鉬背電極層；

在鉬背電極層上形成銅薄膜；

在銅薄膜上形成銅銦鎵硒或銅鋅錫硫的光吸收粉末層，以提供制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜；以及

對用于制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜熱處理，以形成光吸收層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的方法，其中，基板從由玻璃、金屬、陶瓷以及聚合物組成的組中選擇。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的方法，其中，所述形成鉬背電極層的步驟通過電子束鍍膜、濺射、化學氣相沉積或金屬有機化學氣相沉積工藝使鉬涂覆到基板上來執(zhí)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的方法，其中，所述形成銅薄膜的步驟通過真空蒸鍍、熱真空蒸鍍、電子束鍍膜、濺射、化學氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積或電化學沉積工藝在鉬背電極層上涂覆銅薄膜來執(zhí)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的方法，其中，所述形成光吸收粉末層以提供制備銅銦鎵硒基或銅鋅錫硫基太陽能電池的預處理薄膜的步驟包括通過非真空型工藝在非真空環(huán)境下，涂覆具有Cu_xIn_yGa_1-y(S_zSe_1-z)₂或Cu_(2-p)Zn_(2-q)Sn_q(S_rSe_(1-r))₄組成的粉末或糊料，非真空型工藝包括刮刀涂布技術(shù)、絲網(wǎng)印刷工藝、旋轉(zhuǎn)涂布工藝、噴涂工藝或涂裝工藝，其中，0<x<1、0<y<1、0<z<1，并且x、y和z中的每個都代表實數(shù)，其中，0<p<2、0<q<2、0<r<2，并且p、q和r中的每個都代表實數(shù)。